[发明专利]压力按键、压力按键的按键输入方法、耳机设备及可穿戴设备在审

专利信息
申请号: 202010163834.X 申请日: 2020-03-10
公开(公告)号: CN111341583A 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 何亮;夏波;詹寿昌;罗玉景 申请(专利权)人: 湖南国声声学科技股份有限公司
主分类号: H01H13/14 分类号: H01H13/14;G01D5/14
代理公司: 深圳协成知识产权代理事务所(普通合伙) 44458 代理人: 章小燕
地址: 412500 湖南省株洲市炎陵县*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 压力 按键 输入 方法 耳机 设备 穿戴
【说明书】:

发明实施例公开了一种压力按键、压力按键的按键输入方法、耳机设备及可穿戴设备。该压力按键由于在可穿戴设备壳体的按压单元上设置金属导体,在壳体内PCB板上与金属导体相对的位置上设置电涡流位移传感器及与电涡流位移传感器电性连接的控制单元,通过电涡流位移传感器检测在发生按压操作时金属导体的位移程度,并根据位移程度生成相应的电压或电流输出信号;最后由控制单元根据预先训练的电压或电流输出信号与控制指令的对应关系识别当前接收到的电压或电流输出信号对应的控制指令,并控制可穿戴设备执行相应的控制操作,从而可以基于电涡流感应原理实现压力按键输入,简化了压力按键的传导力结构及装配难度,提升了可穿戴设备的量产良品率。

技术领域

本发明实施例涉及可穿戴设备技术领域,尤其涉及一种压力按键、压力按键的按键输入方法、耳机设备及可穿戴设备。

背景技术

随着人们对耳机等电子设备智能性功能需求的提升,压力按键已经逐渐成为耳机设备上必不可少的部分。目前,耳机上的压力按键一般采用薄膜压力传感器、压电传感器或者采用MEMS(Micro Electromechanical System,微机电系统)芯片来实现,然而这些压力按键实现方式均存在有传导力结构复杂,导致装配困难,量产良品率低的问题。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例的目的在于提供一种压力按键、压力按键的按键输入方法、耳机设备及可穿戴设备,以解决上述现有压力按键实现方式均存在有传导力结构复杂,导致装配困难,量产良品率低的问题。

本发明实施例解决上述技术问题所采用的技术方案如下:

根据本发明实施例的第一方面,提供一种压力按键,应用于可穿戴设备,所述可穿戴设备包括壳体及位于壳体内的PCB板,所述压力按键包括:位于所述壳体上的按压单元、位于所述PCB板上且与所述按压单元相对设置的电涡流位移传感器以及位于所述PCB板上与所述电涡流位移传感器电性连接的控制单元;其中:

所述按压单元上设置有金属导体,用于在发生按压操作时,带动所述金属导体向所述电涡流位移传感器方向发生位移;

所述电涡流位移传感器,用于检测所述金属导体的位移程度,并根据所述位移程度生成相应的电压或电流输出信号;所述电压或电流输出信号的大小与所述金属导体位移程度成正比;

所述控制单元,用于根据预先训练得到的电压或电流输出信号与控制指令的对应关系识别当前接收到的电压或电流输出信号对应的控制指令,并控制所述可穿戴设备执行相应的控制操作。

其中,所述电涡流位移传感器包括依次电性连接的电涡流检测线圈、振荡电路、检测电路及放大器,其中:

所述振荡电路,用于产生高频激励信号,并将所述高频激励信号通过延伸电缆流入所述电涡流检测线圈,在所述电涡流检测线圈中产生交变的磁场,以在所述金属导体靠近所述交变的磁场时,在所述金属导体表面产生电涡流;所述电涡流根据所述金属导体的位移程度影响所述电涡流检测线圈的有效阻抗,所述振荡电路还用于根据所述有效阻抗产生相应的振荡电压;

所述检测电路,用于对所述振荡电压进行整流、滤波及线性补偿后,将所述振荡电压转换为相应的电压或电流输出信号;

所述放大器,用于对所述电压或电流输出信号进行放大归一化处理,并将处理后的电压或电流输出信号输出至所述控制单元。

其中,所述电涡流检测线圈为布置在PCB板上的单贴片线圈或双贴片线圈,所述金属导体在所述PCB板上的投影覆盖所述单贴片线圈或双贴片线圈所在区域或者与所述单贴片线圈所在区域重合。

其中,所述双贴片线圈包括发射线圈和接收线圈,所述发射线圈和所述接收线圈在所述PCB板上相邻设置或层叠设置。

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