[发明专利]一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件在审
申请号: | 202010164755.0 | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN113394114A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 江伟;史波;曾丹;敖利波;肖婷;曹俊;马颖江 | 申请(专利权)人: | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/495;H01L25/18 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘红彬 |
地址: | 519015 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 封装 方法 电子器件 | ||
1.一种芯片的封装方法,其特征在于,包括:
提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片,所述功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极;
在所述栅极和所述第一发射极表面贴附高温胶膜;
将所述功率半导体芯片安装于电子封装基板上;
将所述电子封装基板与导线框架进行组装,实现所述电子封装基板与所述功率半导体芯片之间的电连接、所述电子封装基板与所述导线框架之间的电连接以及所述功率半导体芯片与所述导线框架之间的电连接;
在所述导线框架上安装驱动控制芯片,并实现所述驱动控制芯片与所述导线框架之间的电连接;
去除所述栅极和所述第一发射极上的高温胶膜;
在所述电子封装基板与所述导线框架之间焊接金属引线以实现所述驱动控制芯片的驱动电极与所述栅极的连接、以及实现所述第一发射极与所述导线框架的连接;
对所述电子封装基板以及所述导线框架进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。
2.根据权利要求1所述的芯片的封装方法,其特征在于,所述实现所述电子封装基板与所述功率半导体芯片之间的电连接、所述电子封装基板与所述导线框架之间的电连接以及所述功率半导体芯片与所述导线框架之间的电连接包括:
在所述电子封装基板与所述功率半导体芯片之间印刷结合材;
在每一个所述功率半导体芯片上的所述第二发射极上印刷结合材;
在所述电子封装基板与所述导线框架连接的部分印刷结合材;
对所述结合材进行高温回流固化。
3.根据权利要求1所述的芯片的封装方法,其特征在于,所述实现所述驱动控制芯片与所述导线框架之间的电连接,包括:
在所述导线框架与所述驱动控制芯片之间印刷结合材,并对所述结合材进行高温回流固化。
4.根据权利要求1所述的芯片的封装方法,其特征在于,所述电子封装基板上设有凹槽,当所述电子封装基板与所述导线框架组装时,将所述导线框架的管脚嵌入所述凹槽中。
5.根据权利要求1所述的芯片的封装方法,其特征在于,所述去除所述栅极和所述第一发射极上的高温胶膜,包括:
利用紫外光线照射所述栅极和所述第一发射极上贴附的高温胶膜;
通过吸嘴吸附所述栅极和所述第一发射极上贴附的高温胶膜。
6.一种如权利要求1-5任一项所述的封装方法制备的芯片,其特征在于,包括垂直互联的电子封装基板和导线框架,其中:
所述电子封装基板与所述导线框架之间电连接;
所述电子封装基板上安装有多个功率半导体芯片,每一个所述功率半导体芯片包括:栅极、第一发射极和第二发射极,且每一个所述功率半导体芯片与所述电子封装基板之间电连接;
所述导线框架上安装有多个驱动控制芯片,每一个所述驱动控制芯片与所述导线框架之间电连接;
每一个所述驱动控制芯片的驱动电极与对应的所述功率半导体芯片上的栅极之间通过金属引线连接。
7.根据权利要求6所述的芯片,其特征在于,所述栅极的表面钝化层材料和所述第一发射极的表面钝化层材料为铝或铝合金,所述第二发射极的表面钝化层材料为银或银合金。
8.根据权利要求6所述的芯片,其特征在于,所述电子封装基板和所述导线框架具有塑封层,所述塑封层的材料为环氧树脂。
9.根据权利要求6所述的芯片,其特征在于,所述电子封装基板为覆铜陶瓷基板。
10.一种电子器件,其特征在于,包括如权利要求6-9任一项所述的芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司,未经珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010164755.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造