[发明专利]一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件

说明书

本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件，封装方法包括：提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片，功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极；在栅极和第一发射极表面贴附高温胶膜；将功率半导体芯片安装于电子封装基板上；将电子封装基板与导线框架进行组装，实现各部件之间的电连接；在导线框架上安装驱动控制芯片，并实现电连接；去除高温胶膜；实现驱动控制芯片的驱动电极与栅极的连接、以及第一发射极与导线框架的连接；进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。本申请公开的封装方法，够防止导线框架与芯片结合过程中产生的污染栅极问题，增强了栅极焊线的可靠性。

技术领域

本申请涉及智能功率模块技术领域，特别涉及一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件。

背景技术

智能功率模块不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起，而且还内藏有过电压、过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。它由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成，即使发生负载事故或使用不当，也可保证智能功率模块自身不受损坏。随着功率器件电流密度的进一步增加，对器件及模块的散热能力提出了更高的要求，且市场对产品日益轻、薄、短、小和低价化要求，对功率器件或模块小型化带来更大的挑战。

在智能功率模块中，为了提高模块散热能力和过流能力，将铝线换成铜框架连接成为趋势，不仅降低了铝线冷压焊工艺打坏芯片的风险，而且封装效率及可靠性方面都得到提高。由于智能功率模块含驱动IC芯片，在驱动IGBT(连接栅极)需要高速及可靠性，目前基本采用金线或铜线热压焊工艺。在芯片表面使用结合材与铜框架高温结合过程中，会有污染物飞溅到栅极，另外使用药水清洗的过程中，也有可能产生二次污染，造成智能功率模块质量下降。

发明内容

本发明提供了一种芯片的封装方法，能够防止导线框架与芯片结合过程中产生的污染栅极问题，增强栅极焊线的可靠性。

为了达到上述目的，本申请提供一种芯片的封装方法，包括：

提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片，所述功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极；

在所述栅极和所述第一发射极表面贴附高温胶膜；

将所述功率半导体芯片安装于电子封装基板上；

将所述电子封装基板与导线框架进行组装，实现所述电子封装基板与所述功率半导体芯片之间的电连接、所述电子封装基板与所述导线框架之间的电连接以及所述功率半导体芯片与所述导线框架之间的电连接；

在所述导线框架上安装驱动控制芯片，并实现所述驱动控制芯片与所述导线框架之间的电连接；

去除所述栅极和所述第一发射极上的高温胶膜；

在所述电子封装基板与所述导线框架之间焊接金属引线以实现所述驱动控制芯片的驱动电极与所述栅极的连接、以及实现所述第一发射极与所述导线框架的连接；

对所述电子封装基板以及所述导线框架进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。

上述封装方法，在将功率半导体芯片安装到电子封装基板上之前，在栅极和第一发射极的表面贴附高温胶膜，当电子封装基板与导线框架进行组装并实现电连接时，该高温胶膜能够保证栅极以及第一发射极在安装导线框架以及高温回流过程中不被污染，且完成电连接后去除高温胶膜，从而增强了栅极焊线的可靠性，保证了产品的可靠性。

此外，由于上述封装方法中采用了导线框架与电子封装基板的组装，使得芯片表面互联使用导线框架，替代了铝线，能够使得芯片的散热效果更好，还可提升芯片的可靠性以及电流密度；且通过金属引线实现驱动控制芯片的驱动电极与栅极之间的连接以及第一发射极与导线框架之间的连接，技术简单可靠，易实现，还可保证良好的连接。