[发明专利]一种风铃草的植株再生方法

权利要求书

1.一种风铃草的植株再生方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、将风铃草种子用无菌水浸泡，待种子长出胚根后，将露出胚根的种子用0.2％H₂O₂灭菌2min～3min，然后将灭菌后的种子接种于水琼脂培养基上萌发，得到带有子叶和幼嫩真叶的幼苗，切下子叶或幼嫩真叶作为外植体备用；

或者将风铃草种子播种于装有85wt％泥炭、10wt％珍珠岩和5wt％蛭石的混合基质的育苗盆中萌发，得到带有子叶和幼嫩真叶的幼苗，将幼苗用75％的酒精浸泡30s，用无菌水漂洗，再用10％的NaClO灭菌5min，无菌水冲洗，无菌吸水纸吸干表面水分，切下子叶或幼嫩真叶作为外植体备用；

步骤二、将步骤一中所述外植体置于含有TDZ、NAA和BA的MS培养基中，在避光条件下培养20天，获得愈伤组织；

步骤三、将步骤二中所述愈伤组织经继代培养后转入光下培养，见光三天后愈伤组织开始转绿，继续见光培养；

步骤四、将步骤三中转绿后的愈伤组织转接到芽分化培养基上培养，分化出丛生不定芽，待不定芽长大至1cm～1.5cm时，分离不定芽并将分离的不定芽接种至生根培养基上进行生根培养，得到组培苗；

步骤五、将步骤四中所述组培苗移栽于草炭和沙的基质中，温室生长，得到风铃草植株。

2.根据权利要求1所述的一种风铃草的植株再生方法，其特征在于，步骤一中所述水琼脂培养基中琼脂的含量为6g/L。

3.根据权利要求1所述的一种风铃草的植株再生方法，其特征在于，步骤二中含有TDZ、NAA和BA的MS培养基中TDZ的含量为1.5mg/L，NAA的含量为0.3mg/L，BA的含量为1.5mg/L。

4.根据权利要求1所述的一种风铃草的植株再生方法，其特征在于，步骤三中所述继代培养的时间为9天。

5.根据权利要求1所述的一种风铃草的植株再生方法，其特征在于，步骤四中所述芽分化培养基为含有NAA和6-BA的MS培养基，芽分化培养基中NAA的含量为0.03mg/L，6-BA的含量为0.5mg/L。

6.根据权利要求1所述的一种风铃草的植株再生方法，其特征在于，步骤四中所述生根培养基为含有AC、琼脂和蔗糖的1/2MS培养基，生根培养基中AC的质量百分含量为0.1％，琼脂的质量百分含量为0.6％，蔗糖的质量百分含量为2％，生根培养基的pH值为6.0～6.5。

7.根据权利要求1所述的一种风铃草的植株再生方法，其特征在于，步骤五中所述草炭和沙的基质中草炭和沙的质量比为1:1。