[发明专利]立体存储器元件在审
| 申请号： | 202010165625.9 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113363260A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 邱建岚;郑俊民 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/11582;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 立体 存储器 元件 | ||
1.一种立体存储器元件，包含：
多个导电层以及多个绝缘层，彼此交错叠层以形成一多层叠层结构于一半导体衬底的第一区，其中该多层叠层结构具有一阶梯结构以及一非阶梯结构；
多个存储器结构，位于该非阶梯结构以形成一存储器阵列区域，每一该存储器结构穿越这些导电层以及这些绝缘层；以及
多个翘曲高度调整特征结构，位于该半导体衬底的第二区。
2.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中这些翘曲高度调整特征结构包含多晶硅插塞。
3.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中这些翘曲高度调整特征结构包含多晶硅垫。
4.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中该阶梯结构比该非阶梯结构更靠近该第二区。
5.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中这些翘曲高度调整特征结构占据该第二区至少10％的面积。
6.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中每一该存储器结构包含一存储层以及一通道层，这些翘曲高度调整特征结构与该通道层包含相同的材料。
7.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中这些翘曲高度调整特征结构彼此电性绝缘。
8.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中这些翘曲高度调整特征结构电性绝缘于这些存储器结构。
9.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中这些翘曲高度调整特征结构与该多层叠层结构位于该半导体衬底的相同侧。
10.一种立体存储器元件，包含：
多个导电层以及多个绝缘层，彼此交错叠层以形成一多层叠层结构于一半导体衬底的第一区，其中该多层叠层结构具有一阶梯结构以及一非阶梯结构；
多个存储器结构，位于该非阶梯结构以形成一存储器阵列区域，每一该存储器结构穿越这些导电层以及这些绝缘层；
第二区，其中该第一区及该第二区相邻且位于该半导体衬底的同一侧；以及
多个翘曲高度调整特征结构，位于该半导体衬底的第三区，其中该第三区位于相对该半导体衬底上的该第一区及该第二区的相反侧。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
