[发明专利]立体存储器元件

说明书

本发明公开了一种立体存储器元件，包含多个导电层以及多个绝缘层，其彼此交错叠层以形成一多层叠层结构于一半导体衬底的第一区。多层叠层结构具有一阶梯结构以及一非阶梯结构。多个存储器结构位于非阶梯结构以形成一存储器阵列区域，每一存储器结构穿越这些导电层以及这些绝缘层。多个翘曲高度调整特征结构位于半导体衬底的第二区。

技术领域

本发明内容是有关于一种存储器元件，且特别是有关于一种具有高存储密度的立体存储器元件。

背景技术

存储器元件系可携式电子装置，例如MP3播放器、数字相机、笔记本电脑、智能型手机等...中重要的数据存储元件。随着各种应用程序的增加及功能的提升，对于存储器元件的需求，也趋向较小的尺寸、较大的存储容量。而为了因应这种需求，目前设计者转而开发一种包含有多个存储单元阶层叠层的立体存储器元件，例如垂直通道式立体NAND闪存元件。

然而，随着元件的关键尺寸微缩至一般存储单元技术领域的极限，如何在更微小的元件尺寸之中，获得到更高的存储存储容量，同时又能于工艺中调节晶圆翘曲高度，已成了本领域所面临的重要课题。因此，有需要提供一种先进的立体存储器元件及其制作方法，来解决已知技术所面临的问题。

发明内容

本说明书的一实施例公开一种立体存储器元件，其包含多个导电层以及多个绝缘层，其彼此交错叠层以形成一多层叠层结构于一半导体衬底的第一区。多层叠层结构具有一阶梯结构以及一非阶梯结构。多个存储器结构位于非阶梯结构以形成一存储器阵列区域，每一存储器结构穿越这些导电层以及这些绝缘层。多个翘曲高度调整特征结构位于该半导体衬底的第二区。

在本说明书的其他实施例中，这些翘曲高度调整特征结构包含多晶硅插塞。

在本说明书的其他实施例中，这些翘曲高度调整特征结构包含多晶硅垫。

在本说明书的其他实施例中，阶梯结构比非阶梯结构更靠近第二区。

在本说明书的其他实施例中，这些翘曲高度调整特征结构占据第二区至少10％的面积。

在本说明书的其他实施例中，每一存储器结构包含一存储层以及一通道层，这些翘曲高度调整特征结构与通道层包含相同的材料。

在本说明书的其他实施例中，这些翘曲高度调整特征结构彼此电性绝缘。

在本说明书的其他实施例中，这些翘曲高度调整特征结构电性绝缘于这些存储器结构。

在本说明书的其他实施例中，其中这些翘曲高度调整特征结构与多层叠层结构位于半导体衬底的相同侧。

在本说明书的其他实施例中，一种立体存储器元件包含多个导电层以及多个绝缘层，其彼此交错叠层以形成一多层叠层结构于一半导体衬底的第一区。多层叠层结构具有一阶梯结构以及一非阶梯结构。多个存储器结构位于非阶梯结构以形成一存储器阵列区域，每一存储器结构穿越这些导电层以及这些绝缘层。半导体衬底还包含第二区，其中第一区及第二区相邻且位于半导体衬底的同一侧。多个翘曲高度调整特征结构位于半导体衬底的第三区，其中第三区位于相对半导体衬底上的第一区及第二区的相反侧。

综合以上所述，立体半导体存储元件在周边区域中设置有翘曲高度调整特征结构，从而补偿由芯片翘曲导致的芯片水平落差高度。翘曲高度调整特征结构可以是多晶硅插塞或多晶硅垫，可位于半导体衬底的周边区域的正侧或背侧(即半导体衬底的第二区或第三区)。

以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本发明的技术方案提供更进一步的解释。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下：

图1为绘示依照本发明的一实施例的半导体存储元件的上视图；