[发明专利]一种SOI精细掩模版及其制作方法

权利要求书

1.一种SOI精细掩模版，其特征在于，包括多个掩膜单元，所述掩膜单元具有承载区和开孔区，所述承载区围绕所述开孔区；

所述掩膜单元包括：

硅基底层，所述硅基底层与所述开孔区对应的部位开设有第一通孔；

填充于所述硅基底层的填充层；

形成于所述硅基底层一侧且远离所述填充层的氧化硅绝缘层，所述氧化硅绝缘层与所述开孔区对应的部位开设有第二通孔，所述第二通孔靠近所述氧化硅绝缘层的开口在所述硅基底层的正投影覆盖所述第一通孔靠近所述氧化硅绝缘层的开口在所述硅基底层的正投影；

形成于所述氧化硅绝缘层背离所述硅基底层的硅器件层，所述硅器件层上与所述开孔区对应的部位开设有多个第三通孔，所述第三通孔的尺寸小于所述第二通孔的尺寸；

所述SOI精细掩模版自中心区域至边缘区域，每个掩膜单元中的填充层宽度逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的SOI精细掩模版，其特征在于，所述硅基底层的厚度大于所述硅器件层的厚度。

3.根据权利要求1所述的SOI精细掩模版，其特征在于，所述填充层内的填充物包括聚酰亚胺。

4.根据权利要求1所述的SOI精细掩模版，其特征在于，所述填充层的形状为矩形或者倒梯形。

5.根据权利要求1～4任一项所述的SOI精细掩模版，其特征在于，靠近所述SOI精细掩模版边缘区域的硅基底层宽度大于靠近所述SOI精细掩模版中心区域的硅基底层宽度。

6.根据权利要求1所述的SOI精细掩模版，其特征在于，沿所述硅器件层至所述硅基底层，所述第一通孔的尺寸逐渐增大。

7.根据权利要求6所述的SOI精细掩模版，其特征在于，所述第一通孔的孔壁与所述硅基底层背离所述氧化硅绝缘层的表面所成角度范围为30～70°。

8.根据权利要求1所述的SOI精细掩模版，其特征在于，所述掩膜单元还具有预留区，所述预留区位于所述承载区和所述开孔区之间，且所述预留区围绕所述开孔区，所述承载区围绕所述预留区；

所述硅基底层与所述预留区以及所述开孔区对应的部位开设有所述第一通孔；

所述氧化硅绝缘层与所述预留区以及所述开孔区对应的部位开设有所述第二通孔。

9.一种如权利要求1～8中任一项所述的SOI精细掩模版的制作方法，其特征在于，包括：

利用气相沉积法在SOI顶底双面先沉积氧化硅，再沉积氮化硅；其中：SOI顶层为硅器件层，底层为硅基底层，中层为氧化硅绝缘层；

SOI底部曝光、显影形成图案，干法刻蚀去除碳化硅和氧化硅；

湿法刻蚀去掉所述图案对应位置的硅基底层形成第一通孔；

酸溶液去除SOI上下层的氮化硅；

SOI顶部曝光、显影、干法刻蚀在硅器件层形成第三通孔；

SOI底部曝光、显影、干刻在硅基底层形成深孔，并在深孔中填充填充物以形成填充层；

利用氢氟酸去除SOI的硅器件层、氧化硅绝缘层和硅基底层的全部氧化硅，形成第二通孔。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀去掉所述图案对应位置的硅基底层形成第一通孔还包括：所述第一通孔的孔壁在硅基底层形成坡度，以使所述第一通孔的孔壁与所述硅基底层背离所述氧化硅绝缘层的表面所成角度范围为30～70°。