[发明专利]一种SOI精细掩模版及其制作方法有效
申请号: | 202010165710.5 | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN111334750B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 张盎然;朱海彬;张粲;康亮亮;袁丽君;丛宁;王灿;玄明花 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘红彬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 soi 精细 模版 及其 制作方法 | ||
本发明涉及Micro OLED显示技术领域,公开一种SOI精细掩模版及其制作方法,包括多个掩膜单元,掩膜单元具有承载区和开孔区,承载区围绕开孔区;掩膜单元包括:硅基底层,硅基底层与开孔区对应的部位开设有第一通孔;填充于硅基底层的填充层;氧化硅绝缘层,氧化硅绝缘层与开孔区对应的部位开设有第二通孔,第二通孔靠近氧化硅绝缘层的开口在硅基底层的正投影覆盖第一通孔靠近氧化硅绝缘层的开口在硅基底层的正投影;硅器件层,硅器件层上与开孔区对应的部位开设有多个第三通孔,第三通孔的尺寸小于第二通孔的尺寸。该掩模版整体应力小、变形量小,有效避免了蒸镀过程中因掩模版与基板贴合不紧密导致的阴影效应。
技术领域
本发明涉及Micro OLED(micro Organic Light-Emitting Diode,微型有机发光二极管)显示技术领域,特别涉及一种SOI精细掩模版及其制作方法。
背景技术
Micro OLED因小尺寸(0.1”~1.x”,通常需要配合光学进行放大)、高分辨率、高PPI(5000PPI以上)、响应速度极快(低于50us)、对比度高(大于10000:1)、色域较高(85%以上)和亮度高(彩色2000~3000nits,单色5000~10000nits)等特点被用于VR/AR微显示领域。
目前OLED的主流制作方式是使用FMM(Fine Metal Mask)蒸镀技术,即利用像素级开孔的铟瓦(Invar)合金作为蒸镀遮罩,将RGB有机发光材料沉积到RGB像素区域,实现RGB像素各自发光。但是,目前FMM技术难以做出开口小于10um的遮罩,使得RGB像素各自发光的显示技术难以运用在Micro OLED微显示器件中。同时,当前Micro OLED微显示器件采用的WOLED+CF方案限于CF透过率低,器件亮度低,导致VR/AR产品难以满足户外高亮使用场景下的使用需求(通常需要牺牲功耗和材料寿命)。
因此,研究一种适用于Micro OLED的SOI(Silicon-On-Insulator,即绝缘衬底上的硅)精细掩模版显得尤为重要。
发明内容
本发明公开了一种SOI精细掩模版及其制作方法,用于制作Micro OLED器件,并且该掩模版整体应力小、变形量小,有效避免了蒸镀过程中因掩模版与基板贴合不紧密导致的阴影效应。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一方面,本发明提供一种SOI精细掩模版,包括多个掩膜单元,所述掩膜单元具有承载区和开孔区,所述承载区围绕所述开孔区;
所述掩膜单元包括:
硅基底层,所述硅基底层与所述开孔区对应的部位开设有第一通孔;
填充于所述硅基底层的填充层;
形成于所述硅基底层一侧且远离所述填充层的氧化硅绝缘层,所述氧化硅绝缘层与所述开孔区对应的部位开设有第二通孔,所述第二通孔靠近所述氧化硅绝缘层的开口在所述硅基底层的正投影覆盖所述第一通孔靠近所述氧化硅绝缘层的开口在所述硅基底层的正投影;
形成于所述氧化硅绝缘层背离所述硅基底层的硅器件层,所述硅器件层上与所述开孔区对应的部位开设有多个第三通孔,所述第三通孔的尺寸小于所述第二通孔的尺寸。
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