[发明专利]一种晶圆的切割方法有效
| 申请号： | 202010166331.8 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111446161B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
1.一种晶圆的切割方法，其特征在于，切割方法包括以下步骤：
S1：正面切割
对晶圆(1)进行切割，晶粒(4)切割时从晶粒(4)的正面进行切割，切割至(1.05-1.3)X处,X为预计最后晶圆(1)减薄完成后的厚度；
S2：一次固定
采用粘合剂(3)将晶圆(1)切割的正面键合在玻璃载板(2)上；
S3：减薄
对切割后的背面进行减薄，减薄至X处；
S4：粘合剂(3)去除
采用氧气电浆侧蚀刻相邻晶粒(4)之间的粘合剂(3)；
S5:二次固定
将减薄面固定在UV膜框(5)上，UV膜框(5)上设有UV型胶膜；
S6：脱离玻璃载板(2)
采用镭射/热分解的方式进行解键合，将晶圆(1)与玻璃载板(2)上脱离，此时晶粒(4)粘合在UV膜框(5)上；
S7：溶剂清洗
将粘合剂(3)从晶粒(4)上剥离。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆的切割方法，其特征在于，所述切割的方法为金刚石切割。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆的切割方法，其特征在于，所述切割的方法为激光切割。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆的切割方法，其特征在于，所述切割的方法为等离子切割。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆的切割方法，其特征在于，所述一次固定的粘合剂(3)通过UV键合将晶圆(1)和玻璃载板(2)粘合在一起，温度要求为50-200℃，使用的时间为30分钟以下。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆的切割方法，其特征在于，所述一次固定的粘合剂(3)通过加热键合将晶圆(1)和玻璃载板(2)粘合在一起 ,温度要求为150-300℃，使用的时间为30分钟以下。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆的切割方法，其特征在于，所述减薄采用的方法为蚀刻。
8.根据权利要求1所述的一种晶圆的切割方法，其特征在于，所述减薄采用的方法为研磨。
9.根据权利要求1所述的一种晶圆的切割方法，其特征在于，所述减薄后相邻的晶粒(4)之间不接触。
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