[发明专利]一种晶圆的切割方法

说明书

本发明公开一种晶圆的切割方法，切割方法包括以下步骤：正面切割、一次固定、减薄、粘合剂去除、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗。本发明通过正面切割、一次固定、减薄、粘合剂去除、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行两次切割获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，实现对晶圆进行两次切割获得晶粒减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，缩短了单个合格晶粒的切割时间，有利于控制晶粒的生产成本。

技术领域

本发明涉及一种切割方法，具体是一种晶圆的切割方法。

背景技术

晶圆是微电子器件最主要的原物料之一，晶圆是由Ⅲ和Ⅴ族复合半导体物质构成。在生产的过程中，晶圆上包含阵列分布的晶粒，通过切割的方式将获得单个的晶粒，传统的晶粒切割采用一次性切割的方法，在切割的过程中，薄晶圆在切割的过程中极易损坏晶粒，影响晶粒的成品合格率,增加了晶粒的生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆的切割方法，本发明通过正面切割、一次固定、减薄、粘合剂去除、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行两次切割获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，实现对晶圆进行两次切割获得晶粒减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，缩短了单个合格晶粒的切割时间，有利于控制晶粒的生产成本。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

1、一种晶圆的切割方法，切割方法包括以下步骤：

S1：正面切割

对晶圆进行切割。

S2：一次固定

采用粘合剂将晶圆切割的正面键合在玻璃载板上。

S3：减薄

对切割后的背面进行减薄，减薄至X处。

S4：粘合剂去除

采用氧气电浆侧蚀刻相邻晶粒之间的粘合剂。

S5:二次固定

将减薄面固定在UV膜框上，UV膜框上设有UV型胶膜。

S6：脱离玻璃载板

采用镭射/热分解的方式进行解键合，将晶圆与玻璃载板上脱离，此时晶粒粘合在UV膜框上。

S7：溶剂清洗

将粘合剂从晶粒上剥离。

进一步的，所述切割的方法为金刚石切割。

进一步的，所述切割的方法为激光切割。

进一步的，所述切割的方法为等离子切割。

进一步的，所述晶粒切割时从晶粒的正面进行切割，切割至X处,X为预计最后晶圆减薄完成后的厚度。

进一步的，所述一次固定的粘合剂通过UV键合将晶圆和玻璃载板粘合在一起，温度要求为50-200℃，使用的时间为30分钟以下。

进一步的，所述一次固定的粘合剂通过加热键合将晶圆和玻璃载板粘合在一起,温度要求为150-300℃，使用的时间为30分钟以下。

进一步的，所述减薄采用的方法为蚀刻。

进一步的，所述减薄采用的方法为研磨。

进一步的，所述减薄后相邻的晶粒之间不接触。

本发明的有益效果：