[发明专利]一种双节点单粒子翻转免疫的存储单元及锁存器有效

专利信息
申请号: 202010166538.5 申请日: 2020-03-11
公开(公告)号: CN111223503B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 王海滨;杨萱萱;宋溢文;贾静 申请(专利权)人: 河海大学常州校区
主分类号: G11C5/00 分类号: G11C5/00;H03K19/003
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 张赏
地址: 213022 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 节点 粒子 翻转 免疫 存储 单元 锁存器
【权利要求书】:

1.一种双节点单粒子翻转免疫的存储单元,其特征在于,包括电源,第一支路,第二支路,第三支路,第四支路,第五支路,第六支路,第七支路和第八支路,以及八个节点X0、X1、X2、X3、Y1、Y2、Y3、Y4;

所述节点X0位于第一支路,节点X1位于第二支路,节点X2位于第三支路,节点X3位于第四支路,节点Y0位于第五支路,节点Y1位于第六支路,节点Y2位于第七支路,节点Y3位于第八支路;

所述第一支路通过所述节点X0与所述第二支路、所述第四支路、所述第六支路、所述第八支路相连接;所述第二支路通过所述节点X1与所述第一支路、所述第三支路、所述第五支路、所述第七支路相连接;所述第三支路通过所述节点X2与所述第二支路、所述第四支路、所述第六支路、所述第八支路相连接;所述第四支路通过所述节点X3与所述第一支路、所述第三支路、所述第五支路、所述第七支路相连接;所述第五支路通过所述节点Y0与所述第二支路、所述第四支路、所述第六支路、所述第八支路相连接;所述第六支路通过所述节点Y1与所述第一支路、所述第三支路、所述第五支路、所述第七支路相连接;所述第七支路通过所述节点Y2与所述第二支路、所述第四支路、所述第六支路、所述第八支路相连接;所述第八支路通过所述节点Y3与所述第一支路、所述第三支路、所述第五支路、所述第七支路相连接;

所述第一支路还包括PMOS管P0、PMOS管P4、NMOS管N0和NMOS管N4;所述电源与所述PMOS管P0的源极相连接,所述PMOS管P0的漏极与所述PMOS管P4的源极相连接,所述PMOS管P4的漏极依次连接所述节点X0、所述NMOS管N0的漏极,所述NMOS管N0的源极与所述NMOS管N4的漏极相连接,所述NMOS管N4的源极接地;

所述PMOS管P0的栅极与所述节点Y3相连接,所述PMOS管P4的栅极与所述节点X3相连接,所述NMOS管N0的栅极与所述节点X1相连接,所述NMOS管N4的栅极与所述节点Y1相连接;

所述第二支路还包括PMOS管P1、PMOS管P5、NMOS管N1和NMOS管N5;所述电源与所述PMOS管P1的源极相连接,所述PMOS管P1的漏极与所述PMOS管P5的源极相连接,所述PMOS管P5的漏极依次连接所述节点X1、所述NMOS管N1的漏极,所述NMOS管N1的源极与所述NMOS管N5的漏极相连接,所述NMOS管N5的源极接地;

所述PMOS管P1的栅极与所述节点Y0相连接,所述PMOS管P5的栅极与所述节点X0相连接,所述NMOS管N1的栅极与所述节点X2相连接,所述NMOS管N5的栅极与所述节点Y2相连接;

所述第三支路还包括PMOS管P2、PMOS管P6、NMOS管N2和NMOS管N6;所述电源与所述PMOS管P2的源极相连接,所述PMOS管P2的漏极与所述PMOS管P6的源极相连接,所述PMOS管P6的漏极依次连接所述节点X2、所述NMOS管N2的漏极,所述NMOS管N2的源极与所述NMOS管N6的漏极相连接,所述NMOS管N6的源极接地;

所述PMOS管P2的栅极与所述节点Y1相连接,所述PMOS管P6的栅极与所述节点X1相连接,所述NMOS管N2的栅极与所述节点X3相连接,所述NMOS管N6的栅极与所述节点Y3相连接;

所述第四支路还包括PMOS管P3、PMOS管P7、NMOS管N3和NMOS管N7;所述电源与所述PMOS管P3的源极相连接,所述PMOS管P3的漏极与所述PMOS管P7的源极相连接,所述PMOS管P7的漏极依次连接所述节点X3、所述NMOS管N3的漏极,所述NMOS管N3的源极与所述NMOS管N7的漏极相连接,所述NMOS管N7的源极接地;

所述PMOS管P3的栅极与所述节点Y2相连接,所述PMOS管P7的栅极与所述节点X2相连接,所述NMOS管N3的栅极与所述节点X0相连接,所述NMOS管N7的栅极与所述节点Y0相连接;

所述第五支路还包括PMOS管P8、PMOS管P12、NMOS管N8和NMOS管N12;所述电源与所述PMOS管P8的源极相连接,所述PMOS管P8的漏极与所述PMOS管P12的源极相连接,所述PMOS管P12的漏极依次连接所述节点Y0、所述NMOS管N8的漏极,所述NMOS管N8的源极与所述NMOS管N12的漏极相连接,所述NMOS管N12的源极接地;

所述PMOS管P8的栅极与所述节点X3相连接,所述PMOS管P12的栅极与所述节点Y3相连接,所述NMOS管N8的栅极与所述节点Y1相连接,所述NMOS管N12的栅极与所述节点X1相连接;

所述第六支路还包括PMOS管P9、PMOS管P13、NMOS管N9和NMOS管N13;所述电源与所述PMOS管P9的源极相连接,所述PMOS管P9的漏极与所述PMOS管P13的源极相连接,所述PMOS管P13的漏极依次连接所述节点Y1、所述NMOS管N9的漏极,所述NMOS管N9的源极与所述NMOS管N13的漏极相连接,所述NMOS管N13的源极接地;

所述PMOS管P9的栅极与所述节点X0相连接,所述PMOS管P13的栅极与所述节点Y0相连接,所述NMOS管N9的栅极与所述节点Y2相连接,所述NMOS管N13的栅极与所述节点X2相连接;

所述第七支路还包括PMOS管P10、PMOS管P14、NMOS管N10和NMOS管N14;所述电源与所述PMOS管P10的源极相连接,所述PMOS管P10的漏极与所述PMOS管P14的源极相连接,所述PMOS管P14的漏极依次连接所述节点Y2、所述NMOS管N10的漏极,所述NMOS管N10的源极与所述NMOS管N14的漏极相连接,所述NMOS管N14的源极接地;

所述PMOS管P10的栅极与所述节点X1相连接,所述PMOS管P14的栅极与所述节点Y1相连接,所述NMOS管N10的栅极与所述节点Y3相连接,所述NMOS管N14的栅极与所述节点X3相连接;

所述第八支路还包括PMOS管P11、PMOS管P15、NMOS管N11和NMOS管N15所述电源与所述PMOS管P11的源极相连接,所述PMOS管P11的漏极与所述PMOS管P15的源极相连接,所述PMOS管P15的漏极依次连接所述节点Y3、所述NMOS管N11的漏极,所述NMOS管N11的源极与所述NMOS管N15的漏极相连接,所述NMOS管N15的源极接地;

所述PMOS管P11的栅极与所述节点X2相连接,所述PMOS管P15的栅极与所述节点Y2相连接,所述NMOS管N11的栅极与所述节点Y0相连接,所述NMOS管N15的栅极与所述节点X0相连接。

2.一种双节点单粒子翻转免疫的锁存器,其特征在于,包括前置逻辑电路和权利要求1所述的存储单元;

所述前置逻辑电路包括第一逻辑电路、第二逻辑电路、第三逻辑电路、第四逻辑电路、第五逻辑电路、第六逻辑电路、第七逻辑电路和第八逻辑电路;每个逻辑电路均由1个NMOS管构成;

所述第一逻辑电路的输入端连接数据输入D和时钟输入CK,所述第一逻辑电路的输出端连接所述节点X0;

所述第二逻辑电路的输入端连接数据输入和时钟输入CK,所述第二逻辑电路的输出端连接所述节点X1;

所述第三逻辑电路的输入端连接数据输入D和时钟输入CK,所述第三逻辑电路的输出端连接所述节点X2;

所述第四逻辑电路的输入端连接数据输入和时钟输入CK,所述第四逻辑电路的输出端连接所述节点X3;

所述第五逻辑电路的输入端连接数据输入D和时钟输入CK,所述第五逻辑电路的输出端连接所述节点Y0;

所述第六逻辑电路的输入端连接数据输入和时钟输入CK,所述第六逻辑电路的输出端连接所述节点Y1;

所述第七逻辑电路的输入端连接数据输入D和时钟输入CK,所述第七逻辑电路的输出端连接所述节点Y2;

所述第八逻辑电路的输入端连接数据输入和时钟输入CK,所述第八逻辑电路的输出端连接所述节点Y3。

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