[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

层堆叠体，所述层堆叠体具有第一掺杂类型的多个第一半导体层(110)和与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层(120)；

第一半导体器件(M1)的第一半导体区(15)，所述第一半导体区(15)邻接所述多个第一半导体层(110)；

所述第一半导体器件(M1)的至少一个第二半导体区(14)，其中，所述至少一个第二半导体区(14)中的每个邻接所述多个第二半导体层(120)中的至少一个，并且与所述第一半导体区(15)间隔开；

第三半导体层(130)，所述第三半导体层(130)邻接所述层堆叠体(110，120)以及所述第一半导体区(15)和所述至少一个第二半导体区(14)中的每个，其中，所述第三半导体层(130)包括在第一方向(x)上布置在所述第一半导体区(15)和所述至少一个第二半导体区(14)之间的第一区域(131)；以及

所述第一掺杂类型或所述第二掺杂类型的第三半导体区(140，142)，所述第三半导体区(140，142)从所述第三半导体层(130)的第一表面(101)延伸到所述第一区域(131)中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第三半导体区(140)被布置为与所述至少一个第二半导体区(14)相邻，并且在所述第一方向(x)上从所述至少一个第二半导体区(14)朝向所述第一半导体区(15)延伸，或者

所述第三半导体区(142)被布置为与所述第一半导体区(15)相邻，并且在所述第一方向(x)上从所述第一半导体区(15)朝向所述至少一个第二半导体区(14)延伸。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括与所述第三半导体区(140)的掺杂类型互补的掺杂类型的第四半导体区(142)，所述第四半导体区(142)从所述第三半导体层(130)的所述第一表面(101)延伸到所述第一区域(131)中。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述第三半导体区(140)被布置为与所述至少一个第二半导体区(14)相邻，并且在所述第一方向(x)上从所述至少一个第二半导体区(14)朝向所述第一半导体区(15)延伸，以及

所述第四半导体区(142)被布置为与所述第一半导体区(15)相邻，并且在所述第一方向(x)上从所述第一半导体区(15)朝向所述至少一个第二半导体区(14)延伸。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其中，所述第三半导体层(130)在垂直于所述第一方向(x)的垂直方向(z)上具有第一厚度(w131)，并且其中，所述第一厚度(w131)在4μm和24μm之间。

6.根据权利要求3和5所述的半导体器件，其中，在所述垂直方向(z)上所述第三半导体区(140)具有第二厚度(w140)，并且所述第四半导体区(142)具有第三厚度(w142)，其中，所述第二厚度(w140)和所述第三厚度(w142)均小于所述第一厚度(w131)。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的半导体器件，其中，所述第四半导体区(142)在所述第一方向(x)上与所述第三半导体区(140)间隔开，并且其中，所述第三半导体区(140)和所述第四半导体区(142)之间在所述第一方向(x)上的距离(d1)处于第一半导体区(15)和所述至少一个第二半导体区(14)之间的距离(d2)的0％和50％之间。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的半导体器件，其中

所述第三半导体区(140)的掺杂浓度等于所述多个第一半导体层(110)的掺杂浓度；并且

所述第四半导体区(142)的掺杂浓度等于所述多个第二半导体层(120)的掺杂浓度。