[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

公开了一种半导体器件，其包括具有第一掺杂类型的多个第一半导体层(110)和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层(120)的层堆叠体。半导体器件还包括：邻接多个第一半导体层(110)的第一半导体器件(M1)的第一半导体区(15)；第一半导体器件(M1)的至少一个第二半导体区(14)，其中至少一个第二半导体区(14)中的每个邻接多个第二半导体层(120)中的至少一个，并且与第一半导体区(15)间隔开；以及第三半导体层(130)，其邻接层堆叠体(110，120)以及第一半导体区(15)和至少一个第二半导体区(14)中的每个，其中第三半导体层(130)包括在第一方向(x)上布置在第一半导体区(15)和至少一个第二半导体区(14)之间的第一区域(131)。半导体器件还包括从第三半导体层(130)的第一表面(101)延伸到第一区域(131)中的第一或第二掺杂类型的第三半导体区(140，142)。

技术领域

本公开总体上涉及一种半导体器件，特别是一种具有晶体管装置的半导体器件。

背景技术

通常，晶体管装置包括形成在半导体主体中的多个晶体管器件。例如，超结晶体管器件通常包括第一掺杂类型(导电类型)的至少一个漂移区和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型(导电类型)的补偿区。漂移区和补偿区被连接以使得在晶体管器件的导通状态(接通状态)下，电流可以在漂移区中流动，而在截止状态(关断状态)下，耗尽区在漂移区中扩展并且流过漂移区的电流被抑制。因此，包括多个超结晶体管器件的晶体管装置包括多个漂移区和补偿区。晶体管装置的漂移区和补偿区可以被实施为具有第一掺杂类型的多个第一半导体层和第二掺杂类型的多个第二半导体层的层堆叠体。

例如由与晶体管器件相邻布置的模制材料感应出的界面电荷可能迁移到晶体管装置中，从而例如通过影响补偿和削弱器件的阻挡能力而不利地影响晶体管器件的功能。

期望提供一种半导体器件，该半导体器件对界面电荷更具鲁棒性并且受界面电荷的影响较小，并且提供一种用于制造该半导体器件的快速且成本高效的方法。

发明内容

一个示例涉及一种半导体器件，该半导体器件包括具有第一掺杂类型的多个第一半导体层和与该第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层的层堆叠体。该半导体器件还包括：与多个第一半导体层邻接的第一半导体器件的第一半导体区；第一半导体器件的至少一个第二半导体区，其中，至少一个第二半导体区中的每个邻接多个第二半导体层中的至少一个，并且与第一半导体区间隔开；以及第三半导体层，其邻接层堆叠体以及第一半导体区和至少一个第二半导体区中的每个，其中，第三半导体层包括在第一方向上布置在第一半导体区和至少一个第二半导体区之间的第一区域。半导体器件还包括第一或第二掺杂类型的第三半导体区，该第三半导体区从第三半导体层的第一表面延伸到第一区域中。

一个示例涉及一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：形成具有第一掺杂类型的多个第一层和与该第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二层的层堆叠体；在层堆叠体的顶部上形成第三层；形成第一半导体区，以使得第一半导体区邻接多个第一半导体层；形成至少一个第二半导体区，以使得至少一个第二半导体区中的每个邻接多个第二半导体层中的至少一个，并且与第一半导体区间隔开；以及形成第一掺杂类型或第二掺杂类型的第三半导体区，以使得第三半导体区从第一表面延伸到第三半导体层的第一区域中，其中，第一区域在第一方向上布置在第一半导体区和至少一个第二半导体区之间。