[发明专利]存储器的测试方法及相关设备在审

专利信息
申请号: 202010167406.4 申请日: 2020-03-11
公开(公告)号: CN113393893A 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 章恒嘉;丁丽;史传奇 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 存储器 测试 方法 相关 设备
【说明书】:

本公开实施例提供一种存储器的测试方法及装置、电子设备和计算机可读存储介质,涉及半导体器件测试技术领域。该方法包括:测试第一存储器,获取第一存储器的缺陷信息;根据所述第一存储器的缺陷信息,获得所述第一存储器的修复信息;将所述第一存储器的修复信息存储于第二存储器中。本公开实施例提供的技术方案,可以利用其他存储器来存储当前被测试的存储器的修复信息,从而可以扩大存储空间,提高测试效率。

技术领域

本公开涉及半导体器件测试技术领域,具体而言,涉及一种存储器的测试方法及相关设备。

背景技术

随着半导体工艺尺寸不断缩小,IC(Integrated Circuit,集成电路)设计的规模越来越大,高度复杂的IC产品正面临着高可靠性、高质量、低成本以及更短的产品上市周期等日益严峻的挑战。一方面随着半导体工艺尺寸的缩小,存储器可能存在的缺陷类型越来越多;另一方面,随着IC产品的复杂度的提高,RAM(Random Access Memory,随机存取存储器)等存储器在IC产品中的比重越来越大。

以DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器))测试为例,需要用于测试存储器的自动测试设备(Automatic Test Equipment,ATE)的机台内部记忆体空间来记录存储器缺陷位置及备用电路的信息,通过ATE分析运算行为产生修补信息,再进行存储器的修补。

在较大容量的存储器测试时或需要精准分析时,ATE内部记忆体空间将可能不足,进而被迫暂停测试进行多次测试及修补,造成测试成本增加。相关技术中,由于ATE内部记忆体空间有限,甚至不支持缺陷位置存储及缺陷分析。如果需要增加ATE的记忆体空间,会导致ATE非常昂贵,或者记忆体空间的扩充已经达到了ATE的上限。

相关技术中存在的一种解决方式是通过高倍率压缩进行测试,但高倍率压缩测试,容易出现无法修补、良率降低的问题。

需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种存储器的测试方法及相关设备,能够克服上述相关技术存在的ATE机台内存空间有限,无法为存储器测试过程中的缺陷信息、修复信息等提供足够的存储空间的技术问题。

本公开实施例提供一种存储器的测试方法,所述方法包括:测试第一存储器,获取所述第一存储器的缺陷信息;根据所述第一存储器的缺陷信息,获得所述第一存储器的修复信息;将所述第一存储器的修复信息存储于第二存储器中。

在本公开一些示例性实施例中,在测试所述第一存储器之前,所述方法还包括:测试所述第二存储器,获取所述第二存储器的缺陷信息;存储所述第二存储器的缺陷信息;根据所述第二存储器的缺陷信息,获得所述第二存储器的修复信息;利用所述第二存储器的修复信息修复所述第二存储器。

在本公开一些示例性实施例中,所述第一存储器和所述第二存储器属于同一存储设备。

在本公开一些示例性实施例中,所述存储设备还包括控制芯片,所述第一存储器和所述第二存储器依次垂直堆叠于所述控制芯片之上或者之下。

在本公开一些示例性实施例中,所述第一存储器和所述第二存储器属于不同存储设备,所述不同存储设备的类型相同或者不同。

在本公开一些示例性实施例中,所述方法还包括:测试第三存储器,获取所述第三存储器的缺陷信息;根据所述第三存储器的缺陷信息,获得所述第三存储器的修复信息;将所述第三存储器的修复信息存储于所述第二存储器中。

在本公开一些示例性实施例中,所述方法还包括:从所述第二存储器中读取所述第一存储器和所述第三存储器的修复信息;根据所述第一存储器的修复信息修复所述第一存储器,并根据所述第三存储器的修复信息修复所述第三存储器。

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