[发明专利]自去耦天线阵列

权利要求书

1.一种自去耦天线阵列，其特征在于，包括：

第一介质基板，所述第一介质基板其中一表面上设置有接地板；

至少两天线，两所述天线排状设置，每一所述天线包括：

微带线，所述微带线设置于所述第一介质基板背离所述接地板的表面上；

辐射贴片，所述微带线位于所述第一介质基板与所述辐射贴片之间且所述辐射贴片与所述微带线间隔设置，所述辐射贴片在所述第一介质基板上形成一投影区域，所述微带线自所述投影区域外延伸至所述投影区域内；

第二介质基板，所述第二介质基板与所述第一介质基板层叠设置，所述第二介质基板设置于所述微带线与所述辐射贴片之间，以使所述微带线与所述辐射贴片间隔设置；

其中，所述微带线连接至馈源并对所述辐射贴片进行耦合馈电，以使所述接地板中产生弱场区，

其中一所述天线位于另一所述天线产生的弱场区内；

其中，所述辐射贴片为方形或非方形，所述辐射贴片为方形时，所述微带线的长度与所述辐射贴片的边长相近；

所述辐射贴片为非方形时，相应调整所述辐射贴片的尺寸，所述微带线的尺寸以及两所述天线的间距。

2.如权利要求1所述的自去耦天线阵列，其特征在于，所述自去耦天线阵列还包括：

馈源连接件，所述馈源连接件连接至所述微带线，以对所述微带线直接馈电。

3.如权利要求2所述的自去耦天线阵列，其特征在于，所述馈源连接件包括射频输入接头，所述射频输入接头包括内芯和外导体，所述内芯与所述微带线连接，所述外导体与所述接地板连接。

4.如权利要求3所述的自去耦天线阵列，其特征在于，所述馈源连接件还包括：

探针，所述探针穿设于所述第一介质基板中，且所述探针一端连接所述内芯，另一端与所述微带线位于所述投影区域外的一段连接。

5.如权利要求4所述的自去耦天线阵列，其特征在于，所述探针与所述微带线的连接位置将所述微带线分成长度不等的两段，其中，靠近所述投影区域的一段长于远离所述投影区域的一段。

6.如权利要求1所述的自去耦天线阵列，其特征在于，所述第一介质基板和所述第二介质基板的相对介电常数均为2.33。

7.如权利要求1所述的自去耦天线阵列，其特征在于，所述自去耦天线阵列包括两个以上的所述天线，两个以上的所述天线排状设置，且相邻的两个所述天线中，其中一所述天线位于另一所述天线产生的弱场区内。