[发明专利]晶片清洗设备在审
申请号: | 202010169351.0 | 申请日: | 2020-03-12 |
公开(公告)号: | CN111834249A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 张宪宰;辛承敃;金石训;金仁基;金兑洪;李根泽;李轸雨;车知勋;崔溶俊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 清洗 设备 | ||
1.一种晶片清洗设备,所述晶片清洗设备包括:
外壳,所述外壳将定位成与晶片相邻;
中空区域,所述中空区域在所述外壳中;
激光模块,所述激光模块输出激光束,所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域,所述激光束被输出到所述中空区域中;以及
透明窗,所述透明窗覆盖所述中空区域的上部,并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。
2.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其中,所述激光模块包括:
激光供应部分,所述激光供应部分供应所述激光束,以及
非球面透镜,所述非球面透镜转变所述激光束的所述分布。
3.根据权利要求2所述的晶片清洗设备,所述晶片清洗设备还包括:
反射器,所述反射器沿着所述外壳的限定所述中空区域的表面反射所述激光束,
其中,所述非球面透镜将所述激光束的宽度调整为大于所述透明窗的宽度,使得所述激光束的最外部分在入射在所述透明窗上之前被所述反射器反射。
4.根据权利要求2所述的晶片清洗设备,其中,所述非球面透镜包括第一透镜和第二透镜,并且
所述第一透镜与所述第二透镜之间的距离是可调的,以控制所述激光束的所述分布。
5.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其中,所述激光束的所述分布包括:
第一激光束,所述第一激光束在所述第一区域和所述第二区域中具有一致的分布,以及
第二激光束,所述第二激光束仅在所述第二区域中。
6.根据权利要求5所述的晶片清洗设备,其中,所述激光模块包括:
非球面透镜,所述非球面透镜将所述第一激光束的所述分布转变成所述一致的分布,以及
轴锥透镜,所述轴锥透镜将所述第二激光束的分布转换成环形。
7.根据权利要求5所述的晶片清洗设备,所述晶片清洗设备还包括:
旋转器,所述旋转器使所述晶片旋转,其中,所述第二激光束加热所述晶片的所述下表面的一部分。
8.根据权利要求5所述的晶片清洗设备,其中,所述激光模块包括使所述第二激光束的所述分布倾斜的畸变光学系统。
9.根据权利要求5所述的晶片清洗设备,其中,所述第二激光束的位置和角度是可调的。
10.根据权利要求5所述的晶片清洗设备,其中,所述激光模块还包括分光器,所述分光器分离源激光束以产生所述第一激光束和所述第二激光束。
11.根据权利要求5所述的晶片清洗设备,其中,在到达所述晶片的所述下表面之前,所述第一激光束的分布和所述第二激光束的分布是单独地可调的。
12.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,所述晶片清洗设备还包括辅助激光模块,所述辅助激光模块向所述晶片的上表面的一部分提供辅助激光束。
13.根据权利要求12所述的晶片清洗设备,所述晶片清洗设备还包括上反射器,所述上反射器与所述晶片交叠,并将从所述晶片反射的激光束反射回至所述晶片的所述上表面上。
14.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其中,
所述第一区域入射在所述晶片的中心区域上,并且
所述第二区域入射在所述晶片的围绕所述中心区域的边缘区域上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造