[发明专利]晶片清洗设备

说明书

一种晶片清洗设备包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

相关申请的交叉引用

于2019年4月18日在韩国知识产权局提交的名为“Wafer Cleaning Equipment”(晶片清洗设备)的韩国专利申请No.10-2019-0045209通过引用的方式全文结合于本申请中。

技术领域

实施例涉及晶片清洗设备。

背景技术

在半导体制造中广泛使用的湿法清洗工艺是用高温化学物质溶液在晶片上蚀刻硬掩模等的工艺。湿法清洗工艺已经由批量设备执行，该批量设备以常规方式同时处理作为一组的多个晶片。当使用批量设备时，在晶片上可能出现例如流动性缺陷、干燥缺陷、分散均匀性劣化等问题。

为了解决这些问题，已经敦促使用逐个处理每个晶片的单晶片处理设备。然而，即使在单晶片设备中，蚀刻速率(E/R)也会随着晶片而变化。

发明内容

根据一个方面，一种晶片清洗设备可以包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

根据一个方面，一种晶片清洗设备可以包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的中心区域和具有不同于所述第一强度的第二强度的边缘区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

根据一个方面，一种晶片清洗设备可以包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻，所述晶片包括第一中心区域和围绕所述第一中心区域的第一边缘区域；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块用激光束照射所述晶片，所述激光束的分布包括具有第一强度的第二中心区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二边缘区域；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部并且透射所述激光束。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，其中：

图1示出了用于解释根据一些实施例的晶片清洗设备的截面图；

图2示出了用于详细地解释图1的晶片清洗设备中的晶片旋转的俯视图；

图3详细地示出了图1的晶片的下表面的仰视图；

图4示出了图1的第一转子部分和第二转子部分的操作；

图5示出了图1的晶片清洗设备和冷却模块；

图6示出了图1的晶片清洗设备中的激光束的路径；

图7示出了图6的区域A1的激光束的分布；

图8示出了图6的区域A2的激光束的分布；

图9示出了到达图1的晶片的激光束的分布；

图10详细地示出了根据一些实施例的晶片清洗设备的非球面透镜；

图11示出了根据一些实施例的晶片清洗设备的截面图；