[发明专利]非100晶向单晶硅片的制备方法在审
| 申请号： | 202010170383.2 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111267248A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 岳维维;孟祥熙;杨立功;曹育红 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 100 单晶硅 制备 方法 | ||
1.非100晶向单晶硅片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将单晶硅棒切割出硅块；硅块为斜四棱柱状，硅块的底面与单晶硅棒的轴心垂直，且底面为矩形；硅块的四个侧面分为两对：一对相互平行、且与底面垂直的第一侧面，以及一对相互平行、且相对底面倾斜的第二侧面；
将硅块切割出硅片；以平行于第二侧面的方向对硅块进行切片，切片所得的硅片为非100晶向的单晶硅片。
2.根据权利要求1所述的非100晶向单晶硅片的制备方法，其特征在于，先对硅块位于一对第二侧面之间的四个边线进行倒角，再将硅块切割出硅片。
3.根据权利要求1所述的非100晶向单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述单晶硅棒为100晶向的单晶硅棒。
4.根据权利要求1所述的非100晶向单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述第二侧面与底面的夹角不大于60度。
5.根据权利要求1所述的非100晶向单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述底面为长方形，第一侧面与底面的宽边平行，第二侧面与底面的长边平行。
6.根据权利要求5所述的非100晶向单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述硅块的侧棱长度与底面长边长度相同。
7.根据权利要求5所述的非100晶向单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述硅块的侧棱长度为底面长边长度的二分之一、三分之一、四分之一、五分之一或六分之一。
8.根据权利要求1所述的非100晶向单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述单晶硅棒的外径不大于240mm。
9.根据权利要求8所述的非100晶向单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述底面长边长度为210mm。
10.根据权利要求1所述的非100晶向单晶硅片的制备方法，其特征在于，将单晶硅棒切割出硅块时，有产生边皮料；将边皮料进一步切割为硅片。
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