[发明专利]非100晶向单晶硅片的制备方法

说明书

本发明公开了一种非100晶向单晶硅片的制备方法，包括如下步骤：将单晶硅棒切割出斜四棱柱状硅块；硅块的底面与单晶硅棒的轴心垂直；硅块的四个侧面分为两对：一对相互平行、且与底面垂直的第一侧面，以及一对相互平行、且相对底面倾斜的第二侧面；以平行于第二侧面的方向对硅块进行切片，切片所得的硅片为非100晶向的单晶硅片。本发明能以直径240mm的单晶硅棒为原材料，制备210mm×210mm的非100晶向单晶硅片。

技术领域

本发明涉及非100晶向单晶硅片的制备方法。

背景技术

单晶硅片一般由100晶向的单晶硅棒切割而成，且所得的硅片一般为100晶向的单晶硅片。

而随着太阳能电池技术的发展，非100晶向的单晶硅片也有需求，故需要研发一种可以制备非100晶向单晶硅片的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种非100晶向单晶硅片的制备方法，包括如下步骤：

将单晶硅棒切割出硅块；硅块为斜四棱柱状，硅块的底面与单晶硅棒的轴心垂直，且底面为矩形；硅块的四个侧面分为两对：一对相互平行、且与底面垂直的第一侧面，以及一对相互平行、且相对底面倾斜的第二侧面；

将硅块切割出硅片；以平行于第二侧面的方向对硅块进行切片，切片所得的硅片为非100晶向的单晶硅片。

优选的，所述单晶硅棒为100晶向的单晶硅棒。

优选的，所述第二侧面与底面的夹角不大于60度。

优选的，所述底面为长方形，第一侧面与底面的宽边平行，第二侧面与底面的长边平行。

优选的，所述硅块的侧棱长度与底面长边长度相同。

优选的，所述硅块的侧棱长度为底面长边长度的二分之一、三分之一、四分之一、五分之一或六分之一。

优选的，先对硅块位于一对第二侧面之间的四个边线进行倒角，再将硅块切割出硅片。

优选的，所述单晶硅棒的外径不大于240mm。

优选的，所述底面长边长度为210mm。

优选的，将单晶硅棒切割出硅块时，有产生边皮料；将边皮料进一步切割为硅片。

本发明将100晶向的单晶硅棒切割出硅块，而硅块底面与单晶硅棒的轴心垂直，故硅块底面也为100晶向，且硅块的第二侧面相对底面倾斜，故硅块第二侧面为非100晶向，而硅片由硅块切片制得，且切片方向平行于第二侧面，故硅块切片所得的单晶硅片也为非100晶向。

第二侧面与底面的夹角不大于60度，有利于非100晶向单晶硅片制绒形成斜棱锥绒面结构，该斜棱锥绒面结构有别于现有的正棱锥绒面结构，有一定的应用价值。

硅块的侧棱长度与底面长边长度相同，即第二侧面是正方形，故硅块切片所得的单晶硅片为方片。

硅块的侧棱长度为底面长边长度的二分之一、三分之一、四分之一、五分之一或六分之一，即第二侧面是长方形，故硅块切片所得的单晶硅片为长方形，该长方形硅片可以被视为上述方片的分片。

先对硅块位于一对第二侧面之间的四个边线进行倒角，再将硅块切割出硅片，可制备四个角都是倒角的非100晶向单晶硅片。

本发明能以直径240mm的单晶硅棒为原材料，制备210mm×210mm的单晶硅片。

将单晶硅棒切割出硅块时，有产生边皮料；可将边皮料进一步切割为硅片，以提高单晶硅棒的利用率。

附图说明

图1是本发明的示意图。

具体实施方式