[发明专利]一种阵列基板、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括在基板上阵列分布的子像素，每一所述子像素均包括主区、第一次区和第二次区；

对应每一行所述子像素设置一条栅极线，所述栅极线位于所述主区与所述第二次区之间，对应每一列所述子像素设置一条数据线和一条分压线，相邻两所述数据线界定出像素边界，所述分压线位于相邻两所述数据线之间；

像素电极，包括对应所述主区设置的主像素电极、对应所述第一次区设置的第一次像素电极以及对应所述第二次区设置的第二次像素电极；

所述子像素还包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管以及第四薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述第一次像素电极电连接，所述第二薄膜晶体管与所述主像素电极电连接，所述第三薄膜晶体管与所述第二次像素电极电连接，所述第四薄膜晶体管与所述分压线电连接；

其中，所述第二薄膜晶体管的沟道长径比大于所述第一薄膜晶体管的沟道长径比以及所述第三薄膜晶体管的沟道长径比；

所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极与所述栅极线同层设置，所述公共电极对应所述主区、所述第一次区和所述第二次区设置。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的沟道长径比与所述第三薄膜晶体管的沟道长径比相同。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素的所述主像素电极与所述公共电极之间形成第一电位差，所述第一次像素电极与所述公共电极之间形成第二电位差，所述第二次像素电极与所述公共电极之间形成第三电位差，且所述第一电位差大于所述第三电位差，所述第三电位差大于所述第二电位差。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极分别与所述第一次像素电极、所述公共电极以及所述第三薄膜晶体管的源极电连接；

所述第二薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极分别与所述主像素电极以及所述公共电极电连接；

所述第三薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，漏极分别与所述第二次像素电极、所述公共电极以及所述第四薄膜晶体管的源极电连接；

所述第四薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，漏极与所述分压线电连接。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极分别与所述第一次像素电极以及所述公共电极电连接；

所述第二薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极分别与所述主像素电极以及所述公共电极电连接；

所述第三薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极分别与所述第二次像素电极、所述公共电极以及所述第四薄膜晶体管的源极电连接；

所述第四薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，漏极与所述分压线电连接。

6.如权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素还包括对应所述主区的主存储电容和主液晶电容，对应所述第一次区的第一次存储电容和第一次液晶电容，对应所述第二次区的第二次存储电容和第二次液晶电容。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一次存储电容的第一极板以及所述第一次液晶电容的第一极板均与所述第一薄膜晶体管的漏极电连接，所述第一次存储电容的第二极板与所述第一次像素电极电连接，所述第一次液晶电容的第二极板与所述公共电极电连接；

所述主存储电容的第一极板以及所述主液晶电容的第一极板均与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接，所述主存储电容的第二极板与所述主像素电极电连接，所述主液晶电容的第二极板与所述公共电极电连接；

所述第二次存储电容的第一极板以及所述第二次液晶电容的第一极板均与所述第三薄膜晶体管的漏极电连接，所述第二次存储电容的第二极板与所述第二次像素电极电连接，所述第二次液晶电容的第二极板与所述公共电极电连接。