[发明专利]一种阵列基板、显示面板

说明书

本申请公开了一种阵列基板、显示面板。该阵列基板包括多个子像素，每一子像素均包括主区、第一次区和第二次区以及四个薄膜晶体管；阵列基板还包括栅极线、数据线以及分压线，第一薄膜晶体管用于驱动第二次区显示，第二薄膜晶体管用于驱动主区显示，第三薄膜晶体管用于驱动第一次区显示，第四薄膜晶体管与分压线电连接并用于为第二次区进行分压。本申请通过将第二薄膜晶体管的沟道长径比设置成大于第一薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管的沟道长径比，并且通过第四薄膜晶体管的漏极与分压线电连接，从而使子像素在主区、第一次区和第二次区的电位差各不相同，进而使显示面板获得更宽广的视角。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板。

背景技术

对于VA模式的显示面板，液晶分子在不同视野角度下的双折射率的差异较大，导致了大视角色偏。目前，在一些宽视角液晶显示器中常使用多畴显示模式来增大显示器的观看视角。多畴显示模式指在一个亚像素内划分出多个区域，位于不同区域内的液晶的偏转角度不同，与传统的单畴显示模式相比，多畴显示模式可降低由于像素内的全部液晶的偏转角度相同而造成的不同观看视角上的对比度差异，进而增大了观看视角。但是，目前现有的宽视角液晶显示器对视角的改善幅度有限，无法满足日益增加的广视角需求，如电子竞技和虚拟现实(VR)屏幕等。

因此，急需提供一种新的显示面板以解决上述问题。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板，能够解决现有显示面板的视角较窄，无法满足日益增加的广视角需求的技术问题。

本申请提供一种阵列基板，包括在基板上阵列分布的子像素，每一所述子像素均包括主区、第一次区和第二次区；

对应每一行所述子像素设置一条栅极线，所述栅极线位于所述主区与所述第二次区之间，对应每一列所述子像素设置一条数据线和一条分压线，相邻两所述数据线界定出像素边界，所述分压线位于相邻两所述数据线之间；

像素电极，包括对应所述主区设置的主像素电极、对应所述第一次区设置的第一次像素电极以及对应所述第二次区设置的第二次像素电极；

所述子像素还包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管以及第四薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述第一次像素电极电连接，所述第二薄膜晶体管与所述主像素电极电连接，所述第三薄膜晶体管与所述第二次像素电极电连接，所述第四薄膜晶体管与所述分压线电连接；

其中，所述第二薄膜晶体管的沟道长径比大于所述第一薄膜晶体管的沟道长径比以及所述第三薄膜晶体管的沟道长径比。

在本申请的阵列基板中，所述第一薄膜晶体管的沟道长径比与所述第三薄膜晶体管的沟道长径比相同。

在本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极与所述栅极线同层设置，所述公共电极对应所述主区、所述第一次区和所述第二次区设置。

在本申请的阵列基板中，所述子像素的所述主像素电极与所述公共电极之间形成第一电位差，所述第一次像素电极与所述公共电极之间形成第二电位差，所述第二次像素电极与所述公共电极之间形成第三电位差，且所述第一电位差大于所述第三电位差，所述第三电位差大于所述第二电位差。

在本申请的阵列基板中，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极分别与所述第一次像素电极、所述公共电极以及所述第三薄膜晶体管的源极电连接；

所述第二薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极分别与所述主像素电极以及所述公共电极电连接；

所述第三薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，漏极分别与所述第二次像素电极、所述公共电极以及所述第四薄膜晶体管的源极电连接；

所述第四薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，漏极与所述分压线电连接。