[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括衬底，且所述衬底为N型掺杂半导体结构；

位于所述衬底上的绝缘层；

及位于所述绝缘层上的堆叠层，所述三维存储器设有贯穿所述堆叠层与所述绝缘层的沟道孔，所述沟道孔内形成存储结构，所述存储结构沿所述沟道孔轴向设置，且与所述衬底电性连接；其中，所述堆叠层包括多层交替堆叠设置的栅极层及介质层，所述绝缘层的厚度大于或等于三层所述栅极层与三层所述介质层的厚度之和。

2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述绝缘层的厚度小于或等于八层所述栅极层与八层所述介质层的厚度之和。

3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述绝缘层与所述介质层采用的材料相同。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括位于所述堆叠层周缘的电流通路，所述电流通路沿垂直于所述衬底方向延伸，且与所述衬底电性连接。

5.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上沉积氧化物材料以形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成多层牺牲层与介质层交替堆叠设置的堆栈层，且所述绝缘层的厚度大于或等于三层所述牺牲层与三层所述介质层的厚度之和。

6.如权利要求5所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述“在所述衬底上沉积氧化物材料以形成绝缘层”之前，所述制备方法还包括：

对所述衬底离子注入，以使所述衬底形成N型掺杂半导体结构。

7.如权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述“在所述绝缘层上形成多层牺牲层与介质层交替堆叠设置的堆栈层”之后，所述制备方法还包括：

刻蚀所述堆栈层，以形成贯穿所述堆栈层的沟道孔；

沿所述沟道孔的轴向方向形成存储结构，所述存储结构与所述衬底电性连接。

8.如权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述“沿所述沟道孔的轴向方向形成存储通道”之后，所述制备方法还包括：

刻蚀所述堆栈层，以形成贯穿所述堆栈层的沟槽；

通过所述沟槽将所述堆栈层中的多层所述牺牲层置换为栅极层。

9.如权利要求8所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述“通过所述沟槽将所述堆栈层中的介质层置换为栅极层”之后，所述制备方法还包括：

沿垂直所述衬底的方向形成电流通路，所述电流通路位于所述堆栈层的周缘，且与所述衬底电性连接。