[发明专利]离子注入装置

权利要求书

1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：

装置主体，包括沿着传输离子束的射束线配置的多个单元及配置在所述射束线的最下游的基板传送处理单元，并且具有由于高能量的离子束的碰撞而可能产生中子射线的中子射线产生源；

框体，至少局部包围所述装置主体；及

中子射线散射部件，配置在从所述中子射线产生源到所述框体的距离成为规定以下的方向上从所述中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述中子射线散射部件包括：第1中子射线散射部件，配置于在从所述中子射线产生源到所述框体的距离成为第1距离的第1方向上从所述中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置；及第2中子射线散射部件，配置于在从所述中子射线产生源到所述框体的距离成为大于所述第1距离的第2距离的第2方向上从所述中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置，且厚度小于所述第1中子射线散射部件。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述中子射线散射部件配置于在从所述中子射线产生源到所述框体的距离成为第1距离的第1方向上从所述中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置，另一方面，未配置于在从所述中子射线产生源到所述框体的距离成为大于所述第1距离的第3距离的第3方向上从所述中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述中子射线产生源为设置在所述射束线的狭缝、射束监测器及射束收集器中的至少一个。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述中子射线散射部件的至少一部分安装于所述框体。

6.根据权利要求5所述的离子注入装置，其特征在于，

所述中子射线散射部件的至少一部分安装于在所述框体设置的门上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述中子射线散射部件的至少一部分安装于所述装置主体及所述装置主体的支承结构体中的至少一个。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述中子射线散射部件未安装于沿着所述射束线的一部分区间配置的所述框体的一部分。

9.根据权利要求8所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个单元具备：射束加速单元，使从离子源引出的离子束加速而生成所述高能量的离子束；及射束传输单元，朝向所述基板传送处理单元传输所述高能量的离子束，

所述中子射线散射部件至少局部安装于沿着所述射束传输单元配置的所述框体的一部分，另一方面，至少局部未安装于沿着所述射束加速单元配置的所述框体的一部分。

10.根据权利要求9所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个单元还具备连接所述射束加速单元与所述射束传输单元之间的射束偏转单元，

所述射束线由直线状的所述射束加速单元、曲线状的所述射束偏转单元及直线状的所述射束传输单元构成为U字形状，

所述中子射线散射部件至少局部安装于沿着所述射束偏转单元配置的所述框体的一部分。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述基板传送处理单元具备：注入处理室，进行向晶片照射所述高能量的离子束的注入处理；装载端口，载置能够容纳多个晶片的晶片容器；及基板传送装置，在所述注入处理室与所述晶片容器之间传送晶片，

所述框体在所述装载端口的铅垂上方具有构成为所述晶片容器能够沿铅垂方向穿过的晶片容器传送口，

所述中子射线散射部件配置成不妨碍所述晶片容器传送口中的所述晶片容器的传送。