[发明专利]离子注入装置

说明书

本发明的课题在于抑制装置外的中子剂量率。离子注入装置(100)具备装置主体(58)及至少局部包围装置主体(58)的框体(60)。装置主体(58)包括沿着传输离子束的射束线(BL)配置的多个单元(12、14、16、18)及配置在射束线(BL)的最下游的基板传送处理单元(20)，并且具有由于高能量的离子束的碰撞而可能产生中子射线的中子射线产生源。离子注入装置(100)还具备中子射线散射部件，该中子射线散射部件配置在从中子射线产生源到框体(60)的距离成为规定以下的方向上从中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置。

技术领域

本申请主张基于2019年3月19日申请的日本专利申请第2019-051014号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种离子注入装置。

背景技术

在半导体制造工序中，为了改变导电性的目的、改变半导体晶片的晶体结构目的等，规范地实施了将离子注入到半导体晶片中的工序。在该工序中使用的装置通常称为离子注入装置。根据注入到晶片的表面附近的离子的所期望的注入深度来确定离子的注入能量。在向浅区域的注入中使用低能量的离子束，在向深区域的注入中使用高能量的离子束。

近年来，为了向更深区域的注入，对相较于以往的高能量离子注入使用更高能量的离子束、所谓的超高能量离子注入的要求日益增加。加速至超高能量的离子具有与离子注入装置的射束线中存在的部件碰撞而引起核反应的可能性。通过所发生的核反应，可能产生中子射线等放射线。

专利文献1：日本特开2018-206504号公报

在担心产生中子射线的超高能量离子注入装置的情况下，还考虑将整个装置设置在放射线管理区域内，但是在批量生产用半导体制造工厂内另设放射线管理区域并不容易。

发明内容

本发明的一种实施方式的示例性目的之一在于提供一种能够抑制装置外的中子剂量率的离子注入装置。

本发明的一种实施方式的离子注入装置具备：装置主体，包括沿着传输离子束的射束线配置的多个单元及配置在射束线的最下游的基板传送处理单元，并且具有由于高能量的离子束的碰撞而可能产生中子射线的中子射线产生源；框体，至少局部包围装置主体；及中子射线散射部件，配置在从中子射线产生源到框体的距离成为规定以下的方向上从中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置。

另外，将上述构成要件的任意组合、本发明的构成要件、表述在方法、装置、系统等之间相互替换而得的实施方式作为本发明的实施方式也是有效的。

发明效果

根据本发明，能够提供一种装置外的中子剂量率得到了抑制的离子注入装置。

附图说明

图1是示意地表示设置在框体的中子射线散射部件的图。

图2是示意地表示容纳部的结构的剖视图。

图3是示意地表示与框体分开设置的中子射线散射部件的图。

图4是表示实施方式所涉及的离子注入装置的基本结构的俯视图。

图5中，图5(a)～图5(c)是表示图4的离子注入装置的基本结构的侧视图。

图6是示意地表示装载端口的正面门的结构的俯视图。

图7中，图7(a)、图7(b)是示意地表示装载端口的开放状态的正面门的俯视图。

图8是表示实施方式所涉及的离子注入工序的流程的流程图。

图9是示意地表示第1工序中的离子注入装置的图。

图10是示意地表示第2工序中的离子注入装置的图。