[发明专利]评估器件热载流子效应的方法在审

专利信息
申请号: 202010174560.4 申请日: 2020-03-13
公开(公告)号: CN113394124A 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 许杞安 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01R31/26
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 史治法
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 评估 器件 载流子 效应 方法
【权利要求书】:

1.一种评估器件热载流子效应的方法,其特征在于,包括:

获取第一器件于不同栅源电压下的衬底电流与漏极电流之比,记为第一电流比;

获取第二器件于不同栅源电压下的衬底电流与漏极电流之比,记为第二电流比,其中,所述第二器件相较于第一器件进行了工艺参数调整或器件参数调整;

基于所述第二电流比与所述第一电流比判断所述工艺参数调整或所述器件参数调整对器件热载流子效应的影响。

2.根据权利要求1所述的评估器件热载流子效应的方法,其特征在于,获取所述第一器件于不同栅源电压下的衬底电流与漏极电流之比包括如下步骤:

获取所述第一器件于不同所述栅源电压下的所述衬底电流;

获取所述第一器件于不同所述栅源电压下的所述漏极电流;

将所述第一器件于各所述栅源电压下的所述衬底电流及所述漏极电流相除,以得到所述第一电流比。

3.根据权利要求1所述的评估器件热载流子效应的方法,其特征在于,获取第二器件于不同栅源电压下的衬底电流与漏极电流之比包括如下步骤:

获取所述第二器件于不同所述栅源电压下的所述衬底电流;

获取所述第二器件于不同所述栅源电压下的所述漏极电流;

将所述第二器件于各所述栅源电压下的所述衬底电流及所述漏极电流相除,以得到所述第二电流比。

4.根据权利要求1所述的评估器件热载流子效应的方法,其特征在于,获取所述第一器件于不同所述栅源电压下的所述衬底电流与所述漏极电流之比的过程中,所述第一器件的源漏电压设为VCC,所述第一器件的源极及衬底均接地,且所述第一器件的栅源电压介于0~VCC之间;获取所述第二器件于不同所述栅源电压下的所述衬底电流与所述漏极电流之比的过程中,所述第二器件的源漏电压设为VCC,所述第二器件的源极及衬底均接地,且所述第二器件的栅源电压介于0~VCC之间。

5.根据权利要求4所述的评估器件热载流子效应的方法,其特征在于,获取所述第一器件于不同所述栅源电压下的所述衬底电流与所述漏极电流之比的过程中,所述第一器件的源漏电压设为VCC,所述第一器件的源极及衬底均接地,且所述第一器件的栅源电压介于0~VCC之间;获取所述第二器件于不同所述栅源电压下的所述衬底电流与所述漏极电流之比的过程中,所述第二器件的源漏电压设为VCC,所述第二器件的源极及衬底均接地,且所述第二器件的栅源电压介于0~VCC之间。

6.根据权利要求5所述的评估器件热载流子效应的方法,其特征在于,所述第一器件的源漏电压不高于3V,所述第二器件的源漏电压不高于3V。

7.根据权利要求1所述的评估器件热载流子效应的方法,其特征在于,获取所述第一器件于不同所述栅源电压下的所述衬底电流与所述漏极电流之比的过程中,所述栅源电压自0至VCC逐步升高,且所述栅源电压逐步升高的步长为0.01V~0.1V。

8.根据权利要求1所述的评估器件热载流子效应的方法,其特征在于,获取所述第二器件于不同所述栅源电压下的所述衬底电流与所述漏极电流之比的过程中,所述栅源电压自0至VCC逐步升高,且所述栅源电压逐步升高的步长为0.01V~0.1V。

9.根据权利要求1所述的评估器件热载流子效应的方法,其特征在于,基于所述第二电流比与所述第一电流比判断所述工艺参数调整或所述器件参数调整对器件热载流子效应的影响包括:

获取所述第一电流比随所述第一器件的栅源电压变化的曲线;

获取所述第二电流比随所述第二器件的栅源电压变化的曲线;

基于所述第一电流比随所述栅源电压变化的曲线及所述第二电流比随所述栅源电压变化的曲线判断所述工艺参数调整或所述器件参数调整对器件热载流子效应的影响。

10.根据权利要求9所述的评估器件热载流子效应的方法,其特征在于,基于所述第一电流比随所述栅源电压变化的曲线及所述第二电流比随所述栅源电压变化的曲线判断所述工艺参数调整或所述器件参数调整对器件热载流子效应的影响的方法为:于相同所述栅源电压条件下,若所述第二电流比高于所述第一电流比,则判定所述工艺参数调整或所述器件参数调整使得所述器件热载流子效应增强;若所述第二电流比低于所述第一电流比,则判定所述工艺参数调整或所述器件参数调整使得所述器件热载流子效应减弱。

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