[发明专利]评估器件热载流子效应的方法

说明书

本发明涉及一种评估器件热载流子效应的方法，包括：获取第一器件于不同栅源电压下的衬底电流与漏极电流之比，记为第一电流比；获取第二器件于不同栅源电压下的衬底电流与漏极电流之比，记为第二电流比，其中，第二器件相较于第一器件进行了工艺参数调整或器件参数调整；基于第二电流比与第一电流比判断工艺参数调整或器件参数调整对器件热载流子效应的影响。通过测量不同工艺参数下器件的衬底电流和漏极电流，推断出该工艺参数对于器件热载流子效应的影响，从而判断出做出工艺参数改变后热载流子效应是呈变好的趋势还是呈变差的趋势，因此能够快速的决定热载流子效应调整的方向，加速了研发过程。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及评估器件热载流子效应的方法。

背景技术

目前，对于超大规模集成电路制造产业，随着MOSFET装置尺寸的不断减小，现在已经缩小到亚微米和深亚微米，且向超深亚微米发展，现代半导体的制程越来越先进，沟道长度越来越短，结深越来越浅，氧化层越来越薄，尽管工作电压越来越低，但半导体集成电路的可靠性面临的挑战越来越大。可靠性对集成电路产品非常重要，尤其是产品研发过程中，能够快速评估产品的可靠性，对加速研发进程非常重要。故建立一套快速有效的评估机制非常重要。

现有技术中通常通过热载流子(HCI)效应来评估器件。然而，常规的热载流子效应的评估尽管采用了加速测试，但做完一个器件完整的热载流子效应评估仍然需要很长时间，整个评估周期较长，使得研发进程较为缓慢。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种评估器件热载流子效应的方法，其具有缩短热载流子效应评估时间，加速研发进程的效果

一种评估器件热载流子效应的方法，包括：

获取第一器件于不同栅源电压下的衬底电流与漏极电流之比，记为第一电流比；

获取第二器件于不同栅源电压下的衬底电流与漏极电流之比，记为第二电流比，其中，所述第二器件相较于第一器件进行了工艺参数调整或器件参数调整；

基于所述第二电流比与所述第一电流比判断所述工艺参数调整或所述器件参数调整对器件热载流子效应的影响。

通过上述技术方案，在进行器件热载流子效应评估时，通过测量不同工艺参数下器件的衬底电流和漏极电流，推断出该工艺参数对于器件热载流子效应的影响，从而判断出做出工艺参数改变后热载流子效应是呈变好的趋势还是呈变差的趋势，因此能够快速的决定热载流子效应调整的方向，因此并不需要获得器件具体的寿命，大大缩短了热载流子效应的评估时间，加速了研发过程。

在其中一个实施例中，获取所述第一器件于不同栅源电压下的衬底电流与漏极电流之比包括如下步骤：

获取所述第一器件于不同所述栅源电压下的所述衬底电流；

获取所述第一器件于不同所述栅源电压下的所述漏极电流；

将所述第一器件于各所述栅源电压下的所述衬底电流及所述漏极电流相除，以得到所述第一电流比。

在其中一个实施例中，获取第二器件于不同栅源电压下的衬底电流与漏极电流之比包括如下步骤：

获取所述第二器件于不同所述栅源电压下的所述衬底电流；

获取所述第二器件于不同所述栅源电压下的所述漏极电流；

将所述第二器件于各所述栅源电压下的所述衬底电流及所述漏极电流相除，以得到所述第二电流比。