[发明专利]衬底材料、衬底材料的制备方法及发光二极管器件在审
申请号: | 202010174680.4 | 申请日: | 2020-03-13 |
公开(公告)号: | CN111333838A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 汪亚民 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;H01L33/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 材料 制备 方法 发光二极管 器件 | ||
1.一种衬底材料,其特征在于,所述衬底材料的结构式为其中,n=2000-3500,所述R1基团的结构式为中的一种,所述R2基团的结构式包括中的一种。
2.一种衬底材料的制备方法,其特征在于,包括:
提供第一反应物和第二反应物,所述第一反应物和所述第二反应物进行反应生成第一中间产物,其中,所述第一中间产物的结构式为其中,m=300-900,所述第一反应物为包括R1’基团的化合物,所述R1’基团的结构式包括中的一种,所述第二反应物为包括R2’基团的化合物,所述R2’基团的结构式包括中的一种;
对所述第一中间产物进行第一热处理形成衬底材料前驱体;
对所述衬底材料前驱体进行第二热处理形成衬底材料,所述衬底材料的结构式为其中,n=2000-3500,所述R1基团的结构式包括中的一种,所述R2基团的结构式包括中的一种。
3.如权利要求2所述的衬底材料的制备方法,其特征在于,所述在所述第一反应物和所述第二反应物进行反应生成所述第一中间产物中,所述第一反应物的摩尔量和所述第二反应物的摩尔量的对应关系为1摩尔-1.5摩尔的所述第一反应物对应1.2摩尔-2.5摩尔的所述第二反应物。
4.如权利要求2所述的衬底材料的制备方法,其特征在于,所述第一反应物在第一溶剂中溶解后与所述第二反应物进行反应生成第一中间产物,所述第一溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、氯仿、二甲基亚砜或N,N-二甲基乙酰胺中的一种或几种的组合。
5.如权利要求2所述的衬底材料的制备方法,其特征在于,所述对所述第一中间产物进行第一热处理形成衬底材料前驱体的步骤中,包括:
所述第一中间产物经过第一阶段热处理形成第一阶段中间产物;
对所述第一阶段中间产物进行第二阶段热处理形成第二阶段中间产物;
对所述第二阶段中间产物进行过滤处理形成衬底材料前驱体。
6.如权利要求5所述的衬底材料的制备方法,其特征在于,所述对所述衬底材料前驱体进行第二热处理形成衬底材料,所述衬底材料的结构式为其中,n=2000-3500,所述R1基团的结构式包括中的一种,所述R2基团的结构式包括中的一种的步骤,包括:
对所述衬底材料前驱体进行第三阶段热处理形成第三阶段中间产物;
对所述第三阶段中间产物进行第四阶段热处理形成衬底材料。
7.如权利要求2所述的衬底材料的制备方法,其特征在于,所述第一反应物的R1’基团由第三反应物的R3基团在第三溶剂中进行反应生成第一生成物R4,所述第一生成物R4在第四溶剂中进行反应制备得到,其中,所述第三反应物的R3基团结构式包括中的一种,所述第一生成物R4的结构式包括
8.如权利要求7所述的衬底材料的制备方法,其特征在于,所述第三溶剂包括乙腈、二甲基甲酰胺、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、二甲基亚砜和六甲基磷酰三胺中的一种或几种组合,所述第四溶剂包括乙腈、二甲基甲酰胺、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、二甲基亚砜和六甲基磷酰三胺中的一种或几种组合。
9.如权利要求2所述的衬底材料的制备方法,其特征在于,所述第一中间产物在第二溶剂中进行反应生成衬底材料,所述第二溶剂为甲苯、苯胺、乙苯、均三甲苯、苯甲醛、二苯醚、二甲苯、二乙苯和氯代苯中的一种或几种组合。
10.一种发光二极管器件,其特征在于,包括:
柔性衬底膜层;
阵列层,所述阵列层设置于所述柔性衬底膜层上;
发光层,所述发光层设置于所述阵列层上;
所述柔性衬底膜层的衬底材料的结构式为:其中,n=2000-3500,所述R1基团的结构式为中的一种,所述R2基团的结构式包括中的一种。
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