[发明专利]一种大黄藤茎段组培快繁方法

权利要求书

1.一种大黄藤茎段组培快繁方法，其特征在于以下步骤和方法进行的：

1）外植体的选择与处理：剪取未木质化的大黄藤顶端20cm藤条，去叶，剪成具单芽、长约2~3厘米小段，用洗洁精水涮洗10~20min后冲淋6~12小时；

2）外植体的消毒：将清洗干净的外植体，在超净台内，依次用酒精、漂白粉溶液及升汞溶液消毒；

3）诱导培养：将消毒好的茎段，接种于以WPM为基本培养基，添加NAA、TDZ及活性炭的诱导培养基内，在一定温度、光照强度和光周期环境下培养；

4）增殖培养：将诱导出的丛生芽，接种于以WPM为基本培养基，添加NAA、6-BA、KT、GA3以及活性炭的增殖培养基内，在一定温度、光照强度和光周期环境下培养；

5）壮苗生根培养：将诱导或增殖获得丛生芽，接种于以WPM为基本培养基，添加NAA、IBA、多效唑以及活性炭的生根培养基内，在一定温度、光照强度和光周期环境下培养。

2.根据权利要求1所述的一种大黄藤茎段组培快繁方法，其特征在于步骤2）所述的外植体的最佳消毒方法为75%酒精消毒20~30s、，饱和漂白粉溶液消毒20~30min，0.05%升汞溶液消毒10~12min。

3.根据权利要求1所述的一种大黄藤茎段组培快繁方法，其特征在于步骤3）所述的诱导培养基为WPM+NAA 0.2~0.5mg/L+TDZ 1.0~2.0mg/L+活性炭0.5~1.0g/L，培养环境为温度23~27℃，前20天暗培养，后以光照强度1000~2000lux，单日光照时间10h的条件下培养。

4.根据权利要求1所述的一种大黄藤茎段组培快繁方法，其特征在于步骤4）所述的增殖培养基为WPM+NAA 0.2~0.5mg/L+6-BA 0.2~0.5mg/L+KT 2.0~4.0mg/L+GA₃ 0.5~1.0mg/L活性炭，培养环境为温度23~27℃，前5天暗培养，后以光照强度1000~2000lux，单日光照时间12h的条件下培养。

5.根据权利要求1所述的一种大黄藤茎段组培快繁方法，其特征在于步骤5）所述的壮苗生根培养基为WPM+NAA 1.0~2.0mg/L+IBA 0.5~1.0mg/L+PP333 1.0~2.0mg/L+活性炭，培养环境为温度23~27℃，以光照强度2000~3000lux，单日光照时间12h的条件下培养。