[发明专利]一种多开口式面板结构

权利要求书

1.一种多开口式面板结构，其特征在于，包括第一区域结构，所述第一区域结构包括第一基板，在所述第一基板表面依次层叠设有第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一半导体层和第一蚀刻阻挡层；

所述第一半导体层上设有两个第一开口，所述第一蚀刻阻挡层上设有两个第二开口，所述第一开口与所述第二开口一一对应设置且相通，在所述第一开口和第二开口中均填充有第一源极金属层，所述第一源极金属层上设有一个第三开口，在多开口式面板结构的水平方向上，所述第三开口位于两个所述第二开口之间，所述第三开口为通孔且所述第三开口中填充有第一钝化层，所述第三开口中填充的第一钝化层与所述第一蚀刻阻挡层远离所述第一基板的一侧面接触；

还包括第二区域结构，所述第二区域结构包括第二基板，在所述第二基板表面依次层叠设有第二栅极金属层、第二栅极绝缘层、第二半导体层、第二蚀刻阻挡层和第二源极金属层，所述第二半导体层上设有一个第五开口，所述第二蚀刻阻挡层上设有一个第六开口，所述第二源极金属层上设有第七开口，所述第五开口、第六开口和第七开口相对设置且相通，所述第六开口和第七开口均为通孔，所述第五开口、第六开口和第七开口中均填充有第二钝化层。

2.根据权利要求1所述的多开口式面板结构，其特征在于，所述第一开口和第二开口均为通孔，所述第一开口中填充的第一源极金属层与所述第一栅极绝缘层远离第一基板的一侧面接触。

3.根据权利要求1所述的多开口式面板结构，其特征在于，所述第一开口为盲孔，所述第二开口为通孔。

4.根据权利要求2或3中任意一项所述的多开口式面板结构，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层上还设有两个第四开口且分别设置在所述第一蚀刻阻挡层的边沿的相对两端，两个所述第四开口分别与对应的所述第二开口相通，两个所述第四开口中填充有第一源极金属层，所述第四开口为通孔，所述第四开口中的第一源极金属层与所述第一半导体层远离第一基板的一侧面接触。

5.根据权利要求1所述的多开口式面板结构，其特征在于，所述第五开口为通孔，所述第五开口中填充的第二钝化层与所述第二栅极绝缘层远离所述第二基板的一侧面接触。

6.根据权利要求1所述的多开口式面板结构，其特征在于，所述第五开口为盲孔。

7.根据权利要求5或6中任意一项所述的多开口式面板结构，其特征在于，所述第二蚀刻阻挡层上还设有两个第八开口且分别设置在所述第二蚀刻阻挡层的边沿的相对两端，所述第六开口设置在两个所述第八开口之间，两个所述第八开口中填充有第二源极金属层，所述第八开口为通孔，所述第八开口中填充的第二源极金属层与所述第二半导体层远离所述第二基板的一侧面接触。

8.一种权利要求1所述的多开口式面板结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供第一区域结构的第一基板，且在所述第一基板表面覆盖一第一栅极金属层；

S2、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于所述第一栅极金属层表面；

S3、形成第一半导体层，且覆盖于所述第一栅极绝缘层表面；

S4、形成第一蚀刻阻挡层，且覆盖于所述第一半导体层表面；

S5、在所述第一半导体层中形成两个第一开口；在所述第一蚀刻阻挡层中形成两个第二开口，所述第二开口与所述第一开口一一对应设置且相通；

S6、分别在所述第一开口和第二开口中形成第一源极金属层；

S7、在所述第一源极金属层中形成一个第三开口；在多开口式面板结构的水平方向上，所述第三开口位于两个所述第二开口之间且所述第三开口为通孔；

S8、在所述第三开口中形成第一钝化层，所述第三开口中形成的第一钝化层与所述第一蚀刻阻挡层远离所述第一基板的一侧面接触。