[发明专利]一种多开口式面板结构

说明书

本发明涉及面板显示技术领域，特别涉及一种多开口式面板结构，在第一半导体层上设置两个第一开口，在第一蚀刻阻挡层上设有两个第二开口，通过将第一开口与第二开口一一对应设置且相互连通，使得第一源极金属层填充在第一开口中，能够使第一源极金属层通过所设置的第一开口与第一半导体层搭接，通过对第一半导体层与第一蚀刻阻挡层的结构层的开口设置，通过用离子掺杂的方式消除部分第一半导体层与第一蚀刻阻挡层之间存在的不利缺陷，以达到改善膜层界面结构，从而达到提高电子迁移率和器件电学性能的目的。

技术领域

本发明涉及面板显示技术领域，特别涉及一种多开口式面板结构。

背景技术

目前的TFT器件通常包含栅极、半导体层、源极、漏极以及若干绝缘层，半导体层采用的是块状结构，其表面除了与源极和漏极金属导体接触外，两极之间的半导体层即沟道表面均与非金属绝缘层接触，通常半导体层表面的结构状态会显著影响其电学性能，从而决定器件的电子迁移率及亚阈值区间摆幅等主要参数。由于半导体层形成时其界面为两种晶体的交接处，其表面原子通常处于一种无序状态，同时存在大量原子空位和缺陷，在器件开启阶段通常会产生电子捕获及电荷耦合等行为，导致器件性能变差，难以达到预期的性能指标。

为了解决这些问题，通常会对膜层进行热处理或者使用离子进行修饰，以达到改善界面晶格缺陷的目的；然而由于半导体层具有较大的面积，位于底沟道的位置通常难以用离子充分处理；另一方面热处理方式对已固化的绝缘层和半导体层表面结构改善影响不大，因此以上常规处理方式很难达到大幅改善半导体层性能的目的。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种能够提高电子迁移率的多开口式面板结构。

为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：

一种多开口式面板结构，包括第一区域结构，所述第一区域结构包括第一基板，在所述第一基板表面依次层叠设有第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一半导体层和第一蚀刻阻挡层；

所述第一半导体层上设有两个第一开口，所述第一蚀刻阻挡层上设有两个第二开口，所述第一开口与所述第二开口一一对应设置且相通，在所述第一开口和第二开口中均填充有第一源极金属层，所述第一源极金属层上设有一个第三开口，在多开口式面板结构的水平方向上，所述第三开口位于两个所述第二开口之间，所述第三开口为通孔且所述第三开口中填充有第一钝化层，所述第三开口中填充的第一钝化层与所述第一蚀刻阻挡层远离所述第一基板的一侧面接触。

本发明采用的第二种技术方案为：

一种多开口式面板结构的制备方法，包括以下步骤：

S1、提供第一区域结构的第一基板，且在所述第一基板表面覆盖一第一栅极金属层；

S2、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于所述第一栅极金属层表面；

S3、形成第一半导体层，且覆盖于所述第一栅极绝缘层表面；

S4、形成第一蚀刻阻挡层，且覆盖于所述第一半导体层表面；

S5、在所述第一半导体层中形成两个第一开口；在所述第一蚀刻阻挡层中形成两个第二开口，所述第二开口与所述第一开口一一对应设置且相通；

S6、分别在所述第一开口和第二开口中形成第一源极金属层；

S7、在所述第一源极金属层中形成一个第三开口；在多开口式面板结构的水平方向上，所述第三开口位于两个所述第二开口之间且所述第三开口为通孔；

S8、在所述第三开口中形成第一钝化层，所述第三开口中形成的第一钝化层与所述第一蚀刻阻挡层远离所述第一基板的一侧面接触。

本发明的有益效果在于：