[发明专利]降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法

权利要求书

1.降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法，其特征在于，所述方法原有N-topcon工艺基础上，在N-Topcon电池正面经过B元素掺杂处理后，增加正面激光边缘刻蚀处理；在背面经过P元素掺杂处理后，增加背面激光边缘刻蚀处理，降低了正、背面边缘30～100um区域内载流子的横向传输能力，改善边缘复合电流，降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的几率，提升光电转换效率。

2.根据权利要求1所述的降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法，其特征在于，所述方法具体为：

步骤一，在N-topcon电池正面B掺杂后，利用激光脉冲对正面边缘扩散区域刻蚀处理；

步骤二，在背面和侧面BSG去除工艺中，对激光刻蚀区域进行抛光处理，改善损伤层以及表面悬挂键；

步骤三，在电池片背面生长SiO₂/Poly-Si叠层钝化膜，以及对Poly-Si进行P元素掺杂和退火晶化处理后，二次利用脉冲激光对背面的poly-Si边缘刻蚀处理；

步骤四，通过RCA清洗工艺对背面刻蚀区域进行抛光处理。

3.根据权利要求2所述的降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法，其特征在于，所述步骤一中，刻蚀区域宽度在30～100um。

4.根据权利要求2所述的降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法，其特征在于，所述步骤三中，刻蚀区域的宽度在30～100um。