[发明专利]降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法

说明书

本发明公布了一种降低N‑Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法，所述方法原有N‑topcon工艺基础上，在N‑Topcon电池正面经过B元素掺杂处理后，增加正面激光边缘刻蚀处理；在背面经过P元素掺杂处理后，增加背面激光边缘刻蚀处理，降低了正、背面边缘30～100um区域内载流子的横向传输能力，改善边缘复合电流，降低N‑Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的几率，提升光电转换效率。

技术领域

本发明涉及一种降低N-Topcon电池边缘复合的方法，属于晶硅太阳能电池生产技术领域。

背景技术

在晶硅太阳能电池制造工艺中，光学损失、复合损失以及电阻损失是限制晶硅太阳能电池光电转换效率极限的3大损失机制，其中正背表面、基体、边缘、PN结耗尽区以及金属接触区都存在复合损失，对于不同结构的电池，不同区域的复合占比具有一定差异。

N-Topcon电池正、背面分别经过B、P元素掺杂处理，导致正、背表面都具有很强的载流子横向传输能力；且正、背面分别有AlOx/SiNx、 SiO2/Poly-Si钝化处理，表面复合损失非常小。该结构电池正背表面钝化效果均比较好，因此正背表面复合比较小；且正背表面载流子横向传输能力比较强，因此边缘复合比较大。此起彼伏，因此增加了边缘复合占总复合的比例；综合以上两点，边缘区域复合在N-Topcon电池中的复合占比要远大于其它结构电池。

发明内容

为了解决上述背景技术中的问题，本发明的目的是提供一种能够降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法，增加了两次激光刻蚀工艺，降低了正、背面边缘30～100um区域内载流子的横向传输能力，改善边缘复合电流，提升了光电转换效率。

本发明降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的方法，所述方法原有N-topcon工艺基础上，在N-Topcon电池正面经过B元素掺杂处理后，增加正面激光边缘刻蚀处理；在背面经过P元素掺杂处理后，增加背面激光边缘刻蚀处理，降低了正、背面边缘30～100um区域内载流子的横向传输能力，改善边缘复合电流，降低N-Topcon晶硅太阳能电池边缘复合的几率，提升光电转换效率。

进一步的，所述方法具体为：

步骤一，在N-Topcon电池正面B元素掺杂后，利用激光脉冲对正面边缘扩散区域刻蚀处理；

步骤二，在背面和侧面BSG（Boro-Silicate Glass，即硼硅玻璃）去除工艺中，对激光刻蚀区域进行抛光处理，改善损伤层以及表面悬挂键；

步骤三，在电池片背面生长SiO₂/Poly-Si叠层钝化膜，以及对非晶硅Poly-Si进行P元素掺杂和退火晶化处理后，二次利用脉冲激光对背面的poly-Si边缘刻蚀处理；

步骤四，通过RCA清洗工艺对背面刻蚀区域进行抛光处理。

作为一种优选，所述步骤一中，刻蚀区域宽度在30～100um。

作为一种优选，所述步骤三中，刻蚀区域的宽度在30～100um。

本发明在原有N-Topcon工艺基础上，增加了两次激光刻蚀工艺，降低了正、背面边缘30～100um区域内载流子的横向传输能力，改善边缘复合电流，提升了光电转换效率。

附图说明

图1为N-Topcon电池正面经过B元素扩散后的示意图；

图2为N-Topcon电池背面Poly-Si膜经过P元素扩散示意图。

图中：D-正面B扩散区，W-正面激光刻蚀区，P-背面P扩散区，B-背面激光刻蚀区。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行详细说明：