[发明专利]3D存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一叠层结构，包括交替堆叠的层间绝缘层与牺牲层，所述衬底的表面包括相邻的台阶区与核心区；

在所述第一叠层结构的表面上形成第一标记；

以所述第一标记作为对准标记进行刻蚀，使得在所述第一叠层结构的侧面形成若干层第一台阶；

以所述第一标记作为对准标记进行刻蚀以形成多个第一沟道孔，所述多个第一沟道孔穿过所述第一叠层结构；

形成至少覆盖所述多个第一台阶的第一填充层；

形成覆盖所述第一填充层与所述第一叠层结构的第二叠层结构，包括交替堆叠的层间绝缘层与牺牲层，所述第二叠层结构的表面与所述第一叠层结构的表面共形，以将所述第一标记复制到所述第二叠层结构的表面；

以所述第一标记作为对准标记进行刻蚀，使得在所述第二叠层结构的侧面形成若干层第二台阶；以及

以所述第一标记作为对准标记进行刻蚀以形成多个第二沟道孔，所述第二沟道孔穿过所述第二叠层结构，并位于所述第一沟道孔之上。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二叠层结构的各层均形成有所述第一标记。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一叠层结构与所述第二叠层结构中的所有所述第一标记共形。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述台阶区内，在与所述衬底表面平行的方向上，所述第一标记位于所述第一台阶与所述第二台阶的同一侧，并且所述第一台阶凸出于所述第二台阶。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一叠层结构之前，所述制造方法还包括：

在所述衬底上形成具有开口的掩模，所述开口位于所述叠层结构一侧的衬底内；

经所述开口向所述衬底中注入离子形成掺杂区；以及

经所述开口刻蚀所述衬底形成凹槽，所述凹槽作为第二标记，

其中，所述第一叠层结构的表面与所述衬底的表面共形，以将所述第二标记复制到所述第一叠层结构的表面，并以所述第二标记作为对准标记进行刻蚀以形成所述第一标记。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一填充层还覆盖所述衬底，所述制造方法还包括：

形成覆盖所述第一填充层与所述多个第二台阶的第二填充层；以及

以所述第一标记为对准标记进行刻蚀以形成外围导电孔，所述外围导电孔穿过所述第二填充层与所述第一填充层，并与所述掺杂区接触。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述掺杂区的结深大于所述凹槽的深度，

所述外围导电孔延伸至所述掺杂区表面或所述掺杂区中。

8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成所述掩模之前，所述制造方法还包括在所述衬底表面形成隔离层，

其中，所述掩模位于所述隔离层表面，在形成所述凹槽后所述隔离层被去除。

9.根据权利要求1-8任一所述的制造方法，其特征在于，还包括以所述第一标记为对准标记进行划片以形成划片道。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在所述第一叠层结构的表面上形成第一标记的同时，还包括在所述第一叠层结构的表面上形成第三标记，所述第三标记的位置与所述划片道的位置对应。