[发明专利]一种芯片封装框架和芯片封装结构

说明书

本发明公开了一种芯片封装框架和芯片封装结构。其中芯片封装框架包括：封装底座；基板，设置于封装底座上，划分有至少一个芯片区，包括层叠的第一导电层和绝缘层；至少一个第二导电层，设置于绝缘层上表面，位于芯片区且与芯片区一一对应设置，其中，至少一个第二导电层包括第一子导电层，绝缘层上设置有第一导电通孔，第一子导电层通过第一导电通孔与第一导电层电连接；至少一个电极引脚，位于封装底座的至少一侧，包括第一电极引脚，第一电极引脚与第一导电层电连接。本发明解决了现有封装结构具备较大的寄生参数，影响封装芯片的性能及稳定性的问题，降低了封装结构的寄生参数。

技术领域

本发明实施例涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种芯片封装框架和芯片封装结构。

背景技术

在半导体电子器件方面，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High ElectronMobility Transistor，HEMT)是具有高浓度二维电子气(Two-Dimensional Electron Gas，2DEG)的宽禁带半导体器件，具有输出功率密度高、耐高温、稳定性强和击穿电压高的特点，在电力电子器件领域具有极大的应用潜力。

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管通常工作在高频高功率的条件下，对封装结构的寄生参数和散热能力有更高的要求。目前常用的封装形式主要为单边引脚封装和多边引脚封装。由于引脚布局和芯片封装框架的结构，单边引脚封装具有高散热能力，但寄生参数大，而多边引脚封装具有较低的寄生参数，但散热能力较差。虽然多边引脚封装比单边引脚封装具有较低的寄生参数，但封装结构仍具备较大的寄生参数，影响封装芯片的性能及稳定性。因此，如何进一步降低封装结构的寄生参数成为芯片封装结构的研究方向之一。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提出一种芯片封装框架和芯片封装结构，以降低封装结构的寄生参数。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供了一种芯片封装框架，包括：

封装底座；

基板，设置于所述封装底座上，划分有至少一个芯片区，包括层叠的第一导电层和绝缘层；

至少一个第二导电层，设置于所述绝缘层上表面，位于所述芯片区且与所述芯片区一一对应设置，其中，所述至少一个第二导电层包括第一子导电层，所述绝缘层上设置有第一导电通孔，所述第一子导电层通过所述第一导电通孔与所述第一导电层电连接；

至少一个电极引脚，位于所述封装底座的至少一侧，包括第一电极引脚，所述第一电极引脚与所述第一导电层电连接。

可选的，所述至少一个第二导电层还包括第二子导电层，所述第二子导电层与所述第一子导电层绝缘。

可选的，所述芯片封装框架还包括第三导电层，所述第三导电层设置于所述绝缘层上表面，位于所述芯片区之外，所述绝缘层上设置有第二导电通孔，所述第三导电层通过所述第二导电通孔与所述第一导电层电连接。

可选的，所述芯片封装框架还包括第四导电层，所述第四导电层位于所述芯片区之外且与所述第一子导电层绝缘。

另一方面，本发明实施例还提供了一种芯片封装结构，包括至少一个芯片和本发明实施例所提供的芯片封装框架；

所述至少一个芯片贴装于所述芯片封装框架上，所述至少一个芯片的芯片电极分别与对应的电极引脚电连接；

所述至少一个芯片包括第一芯片，所述第一芯片贴装于所述第一子导电层上，所述第一芯片的至少一个表面电极与所述第一子导电层电连接。

可选的，所述至少一个表面电极包括设置于所述第一芯片下表面的第一表面电极，所述第一表面电极与所述第一子导电层电接触；