[发明专利]一种像素化转光层及其制备方法

权利要求书

1.一种像素化转光层的制备方法，其特征在于，所述方法至少包括：

获得含有像素槽的基板；

制备基板采用亲水材料为基底，深色光刻胶在基底表面旋涂、光刻形成像素槽，深色光刻胶在坚膜后不溶于溶剂c且不会与之发生化学反应，具有疏水性；同时在像素槽的光刻制备过程中，显影前对后烘好的光刻胶表面进行疏水处理；

将含有发光材料前驱体的溶液转移到所述基板的像素槽内，发光材料前驱体原位生成发光材料，得到填充发光材料的基板；

在填充发光材料的基板表面涂覆封装材料，得到像素化转光层；所述方法至少包括以下步骤：

S001、分别获得不同的含有发光材料前驱体的溶液S1、S2……Sn，1≤n＜1000：

所述含有发光材料前驱体的溶液至少由钙钛矿前驱体，有机溶剂c和聚合物混合而成；

S002、将溶液S1转移到所述基板的所述像素槽内，钙钛矿前驱体原位生成钙钛矿纳米晶，得到填充发光材料1的基板，其中，所述发光材料1中含有钙钛矿纳米晶和聚合物；

S003、在所述填充发光材料1的基板的至少部分表面涂覆封装材料，套刻，对部分像素槽进行封装，套刻后形成的封装结构将像素槽开口完全盖住，并清洗掉未封装像素槽内的发光材料1；

S004、重复步骤S002、S003，直到n种发光材料均被封装，得到所述像素化转光层；

所述步骤S003中，清洗未封装像素槽内的发光材料采用有机溶剂c；

所述步骤S003中，所述封装材料不溶于溶剂c，所述封装材料采用透明光刻胶。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S002还包括：将所述含有发光材料前驱体的溶液转移到所述基板的像素槽内之后，进行后处理；

所述后处理包括：静置、光照、加热、微波处理中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿前驱体包括物质a和物质b；

所述物质a选自具有式Ⅰ所示化合物中的任一种；

所述物质b选自具有式Ⅱ所示化学物中的任一种；

AX 式Ⅰ

BX₂ 式Ⅱ

其中，A选自CH₃NH₂、CH(NH)NH₂、Cs中的至少一种；

B选自Pb、Sn、Cu、Mn、Ag、Sb、Bi、In、Al中的至少一种；

X选自卤族元素中的至少一种；

在钙钛矿前驱体中，物质a和物质b的物质的量比在1:10到10:1之间。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂c占所述含有发光材料前驱体的溶液总质量的20wt%~95wt%；

所述聚合物占所述含有发光材料前驱体的溶液总质量的1wt%~80wt%。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂c为极性有机溶剂；

所述聚合物选自聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯酯、醋酸纤维素、聚砜、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、ABS塑料、聚丙烯腈、聚烯烃弹性体、聚氨酯、聚乙烯咔唑中的至少一种；

所述钙钛矿纳米晶为具有的化学式为ABX₃的化合物中的任一种；

其中A为CH₃NH₂、CH(NH)NH₂、Cs中的至少一种；B为Pb、Sn、Cu、Mn、Ag、Sb、Bi、In、Al中的至少一种；X选自卤族元素中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂c为N,N-二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜中的至少一种。