[发明专利]与在电极上形成屏障材料相关的方法和设备

权利要求书

1.一种方法，其包括：

以半导体制作序列在介电材料(104，204，304，404，504)上形成(752)存储节点(130，132，134)的顶部电极(102，202，302，402，502)；以及

在半导体制作设备(641)中在所述顶部电极上原位形成(754)屏障材料(115，215，412，522)，以减少在处于所述半导体制作设备的异位位置时发生的对所述介电材料的损坏。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述顶部电极(102，202，302，402，502)上形成所述屏障材料(115，215，412，522)，以减少在处于所述半导体制作设备(641)的异位位置时发生的所述顶部电极的氧化。

3.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述屏障材料(115，215，412，522)包括通过使所述顶部电极暴露于硅前体来在所述顶部电极(102，202，302，402，502)上形成硅屏障材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中使所述顶部电极(102，202，302，402，502)暴露于所述硅前体包括使所述顶部电极暴露于基于硅烷的气体。

5.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述硅屏障材料包括使所述顶部电极(102，202，302，402，502)暴露于基于硅烷的气体的多个循环，每个循环形成所述硅屏障材料的亚单层。

6.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述硅屏障材料包括所述顶部电极(102，202，302，402，502)上的所述硅屏障材料的原子层沉积ALD。

7.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述屏障材料(115，215，412，522)包括在所述顶部电极(102，202，302，402，502)上形成氮化物屏障材料。

8.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述屏障材料(115，215，412，522)包括通过使所述顶部电极暴露于硼前体来在所述顶部电极(102，202，302，402，502)上形成硼屏障材料。

9.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述屏障材料(115，215，412，522)包括通过使所述顶部电极暴露于铝前体来在所述顶部电极(102，202，302，402，502)上形成铝屏障材料。

10.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述屏障材料(115，215，412，522)包括通过使所述顶部电极暴露于碳前体来在所述顶部电极(102，202，302，402，502)上形成碳化物屏障材料。

11.一种设备，其包括：

顶部电极(102，202，302，402，502)；

屏障材料(115，215，412，522)，所述屏障材料形成于所述顶部电极的第一表面(414，514)上；以及

介电材料(104，204，304，404，504)，其中所述顶部电极的第二表面(416，516)与所述介电材料直接接触。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述屏障材料(115，215，412，522)的电阻率比所述顶部电极(102，202，302，402，502)的电阻率高。