[发明专利]与在电极上形成屏障材料相关的方法和设备

说明书

本申请涉及与在电极上形成屏障材料有关的方法和设备。描述了与在电极上形成屏障材料有关的方法、设备和系统。一种示例方法包含：以半导体制作序列在介电材料上形成存储节点的顶部电极；以及在半导体制作设备中在所述顶部电极上原位形成屏障材料，以减少在处于所述半导体制作设备的异位位置时产生的对所述介电材料的损坏。

技术领域

本公开总体上涉及半导体装置和方法，并且更具体地涉及在电极上形成屏障材料以减少电极的氧化。

背景技术

存储器装置通常以内部半导体集成电路的形式设置于计算机或其它电子装置中。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)和闪存等。一些类型的存储器装置可以是非易失性存储器(例如，ReRAM)，并且可以用于需要高存储器密度、高可靠性和低功耗的各种电子应用。与不需要电源来保留所存储状态的非易失性存储器单元(例如，闪存单元)相比，易失性存储器单元(例如，DRAM单元)需要电源来保留其所存储数据状态(例如，通过刷新过程)。然而，操作(例如，编程、读取、擦除等)如DRAM单元等各种易失性存储器单元的速度可以比操作如闪存单元等各种非易失性存储器单元的速度快。

发明内容

本公开的一些实施例提供了一种方法，所述方法包含：以半导体制作序列在介电材料上形成存储节点的顶部电极；以及在半导体制作设备中在所述顶部电极上原位形成屏障材料，以减少在处于所述半导体制作设备的异位位置时发生的对所述介电材料的损坏。

本公开的一些实施例提供了一种设备，所述设备包含：顶部电极；屏障材料，所述屏障材料形成于所述顶部电极的第一表面上；以及介电材料，其中所述顶部电极的第二表面与所述介电材料直接接触。

本公开的一些实施例提供了一种设备，所述设备包含：顶部电极；屏障材料，所述屏障材料形成于所述顶部电极内；以及介电材料，其中所述顶部电极的表面与所述介电材料直接接触。

附图说明

图1A-1C展示了根据本公开的多个实施例的存储节点的示例横截面俯视图，所述存储节点包含形成于存储节点的电极上的屏障材料。

图2展示了图1A中展示的存储节点的沿切割线2-2截取的示例横截面侧视图。

图3展示了根据本公开的多个实施例的半导体结构在半导体制作序列中的时间点的工作表面的横截面视图。

图4展示了根据本公开的多个实施例的包含屏障材料的半导体结构在半导体制作序列中的时间点的工作表面的横截面视图。

图5A-5C展示了根据本公开的多个实施例的包含屏障材料的半导体结构在半导体制作序列中的时间点的工作表面的横截面视图。

图6是根据本公开的多个实施例的用于实施示例半导体制作序列的设备的功能框图。

图7是根据本公开的多个实施例的用于形成屏障材料的示例方法的流程图。

图8展示了包含至少一个存储器阵列的计算系统的功能框图，所述存储器阵列具有根据本公开的多个实施例形成的结构。

具体实施方式