[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

衬底；

第一鳍；

第二鳍，

其中，所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；

第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及

场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分，

其中，所述场绝缘膜包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻并且与所述第一浅沟槽的侧壁相邻的第三部分，

其中，所述第一部分包括所述场绝缘膜的上表面的在所述第一方向上的中心部分，

其中，所述场绝缘膜的所述上表面为朝着所述衬底凹入的大括号形状。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从所述衬底的上表面到所述场绝缘膜的所述上表面的高度在所述第一部分处最小。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：

栅极结构，所述栅极结构在所述衬底上沿所述第一方向延伸，

其中，所述第一鳍和所述第二鳍均穿进所述栅极结构。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：

栅极结构，所述栅极结构形成在所述场绝缘膜的所述上表面、所述第一鳍的上表面和侧表面的一部分以及所述第二鳍的上表面和侧表面的一部分上，并且在所述第一方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部分距所述衬底的上表面的高度大于所述第一部分距所述衬底的所述上表面的高度，并且所述第三部分距所述衬底的所述上表面的高度大于所述第二部分距所述衬底的所述上表面的所述高度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从所述衬底的上表面到所述场绝缘膜的所述上表面的高度是不一致的。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，从所述衬底的所述上表面到所述场绝缘膜的所述上表面的所述高度在所述场绝缘膜的所述上表面的在所述第一方向上的所述中心部分处最小。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

隔离层，所述隔离层形成在所述第一鳍的两个侧壁和上表面、所述第二鳍的两个侧壁和上表面以及所述第一浅沟槽的下表面上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

第二浅沟槽，所述第二浅沟槽在所述第一方向上与所述第二鳍相邻；

深沟槽，所述深沟槽与所述第二浅沟槽相邻并且具有比所述第二浅沟槽深的深度；以及

突出结构，所述突出结构从所述第二浅沟槽的底部突出并且低于所述场绝缘膜的所述上表面。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述隔离层形成在所述第一鳍的所述两个侧壁和所述上表面、所述第二鳍的所述两个侧壁和所述上表面、所述第一浅沟槽的所述下表面、所述第二浅沟槽的两个侧壁和下表面以及所述突出结构的表面上。

11.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

衬底；

第一鳍；

第二鳍，

其中，所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；

第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及

场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分，

其中，所述场绝缘膜的上表面包括在所述第一方向上从所述第一浅沟槽的中心顺序定位的第一部分、第二部分和第三部分，

其中，由所述第一部分与所述第一方向形成的第一斜率大于由所述第二部分与所述第一方向形成的第二斜率，并且由所述第三部分与所述第一方向形成的第三斜率大于所述第二斜率，

其中，所述第一斜率、所述第二斜率和所述第三斜率的符号相同。