[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括衬底、第一鳍和第二鳍。所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述半导体器件还包括：第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分。所述场绝缘膜包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻并且与所述第一浅沟槽的侧壁相邻的第三部分。所述第一部分包括所述场绝缘膜的上表面的在所述第一方向上的中心部分。所述场绝缘膜的所述上表面为朝着所述衬底凹入的大括号形状。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年4月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0040756以及于2019年9月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0109469的优先权，上述韩国专利申请的公开内容通过整体引用包含于此。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及半导体器件，更具体地，涉及包括使用原子层沉积(ALD)方法填充的浅沟槽隔离(STI)区域的半导体器件。

背景技术

半导体器件可以包括集成电路，该集成电路包括多个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。随着这种半导体器件的尺寸和设计规则逐渐减小，MOSFET的尺寸也缩小了。这种缩小可能导致短沟道效应，这可能使半导体器件的工作特性劣化。因此，正在研究在克服了与半导体器件的高集成度相关联的限制的同时，形成具有优异的性能特性、高可靠性和低功耗的半导体器件的各种方法。

发明内容

本发明构思的各方面提供具有改善的工作特性的半导体器件。

本发明构思的各方面还提供制造工艺被简化的半导体器件。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体器件包括衬底、第一鳍和第二鳍。所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述半导体器件还包括：第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分。所述场绝缘膜包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻并且与所述第一浅沟槽的侧壁相邻的第三部分。所述第一部分包括所述场绝缘膜的上表面的在所述第一方向上的中心部分。所述场绝缘膜的所述上表面为朝着所述衬底凹入的大括号形状。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体器件包括衬底、第一鳍和第二鳍。所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述半导体器件还包括：第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分。所述场绝缘膜的上表面包括在第一方向上从所述第一浅沟槽的中心顺序定位的第一部分、第二部分和第三部分。由所述第一部分与所述第一方向形成的第一斜率大于由所述第二部分与所述第一方向形成的第二斜率，并且由所述第三部分与所述第一方向形成的第三斜率大于所述第二斜率。所述第一斜率、所述第二斜率和所述第三斜率的符号相同。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体器件包括衬底、第一鳍和第二鳍。所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述半导体器件还包括：浅沟槽，所述浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述浅沟槽的至少一部分。所述场绝缘膜的上表面为具有拐点的形状。