[发明专利]一种LED器件及其制备方法在审
申请号: | 202010189420.4 | 申请日: | 2020-03-17 |
公开(公告)号: | CN111211212A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 杜元宝;张耀华;蒋昌明;宓超;张庆豪 | 申请(专利权)人: | 宁波升谱光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/64;H01L33/48;H01L33/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王云晓 |
地址: | 315103 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种LED器件,其特征在于,包括氮化铝陶瓷基板和倒装LED芯片;
所述氮化铝陶瓷基板内设置有导电线路层,所述氮化铝陶瓷基板表面设置有环形的第一围坝以及环形的第二围坝,所述第一围坝包围所述第二围坝;所述氮化铝陶瓷基板表面位于所述第一围坝外侧的区域设置有正电极和负电极,所述正电极与所述负电极均与所述导电线路层电连接;
所述倒装LED芯片设置于所述氮化铝陶瓷基板表面位于所述第二围坝的区域,所述倒装LED芯片通过所述导电线路层与所述正电极和所述负电极电连接;
所述第二围坝内填充有覆盖所述倒装LED芯片的保护胶,所述第一围坝内填充有白胶,所述白胶的厚度小于所述倒装LED芯片的厚度。
2.根据权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述倒装LED芯片通过共晶焊料焊接于所述氮化铝陶瓷基板表面。
3.根据权利要求2所述的LED器件,其特征在于,所述白胶为甲基类白胶。
4.根据权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述正电极与所述负电极位于所述氮化铝陶瓷基板表面边缘。
5.根据权利要求4所述的LED器件,其特征在于,所述第一围坝沿所述氮化铝陶瓷基板表面边沿、所述正电极边沿以及所述负电极边沿,包围所述氮化铝陶瓷基板表面。
6.根据权利要求5所述的LED器件,其特征在于,所述正电极与所述负电极沿所述氮化铝陶瓷基板中心相对设置。
7.根据权利要求6所述的LED器件,其特征在于,所述氮化铝陶瓷基板呈矩形,所述正电极和所述负电极位于所述氮化铝陶瓷基板表面角部。
8.根据权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述保护胶内填充有预设色温的荧光粉。
9.一种LED器件的制备方法,其特征在于,包括:
在氮化铝陶瓷基板表面设置正电极和负电极;所述氮化铝陶瓷基板内设置有导电线路层;
在所述氮化铝陶瓷基板表面焊接倒装LED芯片;所述正电极和所述负电极均通过所述导电线路层与所述倒装LED芯片电连接;
通过围坝胶在所述氮化铝陶瓷基板表面设置第一围坝;所述正电极和所述负电极位于所述第一围坝外侧;
在所述第一围坝内填充白胶;所述白胶的厚度小于所述倒装LED芯片的厚度;
通过围坝胶在所述第一围坝内侧设置第二围坝;所述第二围坝包围所述倒装LED芯片;
在所述第二围坝内填充覆盖所述倒装LED芯片的保护胶,以制成所述LED器件。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述在所述氮化铝陶瓷基板表面焊接倒装LED芯片包括:
在所述倒装LED芯片与所述氮化铝陶瓷基板之间设置共晶焊料;
通过共晶焊工艺将所述倒装LED芯片焊接于所述氮化铝陶瓷基板表面。
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