[发明专利]一种LED器件及其制备方法

说明书

本发明公开了一种LED器件，氮化铝陶瓷基板表面设置有环形的第一围坝以及环形的第二围坝，第一围坝包围第二围坝；氮化铝陶瓷基板表面位于第一围坝外侧的区域设置有正电极和负电极，正电极与负电极均与导电线路层电连接；倒装LED芯片设置于氮化铝陶瓷基板表面位于第二围坝的区域，倒装LED芯片通过导电线路层与正电极和负电极电连接；第二围坝内填充有覆盖倒装LED芯片的保护胶，第一围坝内填充有白胶，白胶的厚度小于倒装LED芯片的厚度。氮化铝陶瓷基板具有优秀的散热性能，可以有效将LED芯片工作时产生的热量导出LED器件。本发明还提供了一种制备方法，同样具有上述有益效果。

技术领域

本发明涉及照明器件技术领域，特别是涉及一种LED器件以及一种LED器件的制备方法。

背景技术

在现阶段，LED照明设备为了实现高亮度的照明，通常会在小范围内集成大量的LED芯片。由于LED芯片在工作时会产生大量的热量，所以LED照明设备的散热性能是LED照明设备性能的重中之重。

在现有技术中，LED照明设备普遍存在散热问题。在长时间使用过程中，对于使用正装LED芯片的LED器件来说，由于LED芯片具体会通过金线与基板连接形成散热通道，而保护胶会包裹金线。当散热性能不足时，保护胶会受热而产生热胀冷缩，从而拉扯金线造成金线脱落。而对于使用倒装LED芯片的LED器件来说，LED芯片会具体通过焊锡料与基板连接，形成散热通道。而当散热性能较差时，由于焊锡料的熔点较低，会造成焊锡料融化从而导致LED芯片接触不良等问题。所以，如何提供一种散热性能良好的LED器件是本领域技术人员急需解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种LED器件，具有良好的散热性能；本发明的另一目的在于提供一种LED器件的制备方法，可以制备出具有良好散热性能的LED器件。

为解决上述技术问题，本发明提供一种LED器件，包括氮化铝陶瓷基板和倒装LED芯片；

所述氮化铝陶瓷基板内设置有导电线路层，所述氮化铝陶瓷基板表面设置有环形的第一围坝以及环形的第二围坝，所述第一围坝包围所述第二围坝；所述氮化铝陶瓷基板表面位于所述第一围坝外侧的区域设置有正电极和负电极，所述正电极与所述负电极均与所述导电线路层电连接；

所述倒装LED芯片设置于所述氮化铝陶瓷基板表面位于所述第二围坝的区域，所述倒装LED芯片通过所述导电线路层与所述正电极和所述负电极电连接；

所述第二围坝内填充有覆盖所述倒装LED芯片的保护胶，所述第一围坝内填充有白胶，所述白胶的厚度小于所述倒装LED芯片的厚度。

可选的，所述倒装LED芯片通过共晶焊料焊接于所述氮化铝陶瓷基板表面。

可选的，所述白胶为甲基类白胶。

可选的，所述正电极与所述负电极位于所述氮化铝陶瓷基板表面边缘。

可选的，所述第一围坝沿所述氮化铝陶瓷基板表面边沿、所述正电极边沿以及所述负电极边沿，包围所述氮化铝陶瓷基板表面。

可选的，所述正电极与所述负电极沿所述氮化铝陶瓷基板中心相对设置。

可选的，所述氮化铝陶瓷基板呈矩形，所述正电极和所述负电极位于所述氮化铝陶瓷基板表面角部。

可选的，所述保护胶内填充有预设色温的荧光粉。

本发明还提供了一种LED器件的制备方法，包括：

在氮化铝陶瓷基板表面设置正电极和负电极；所述氮化铝陶瓷基板内设置有导电线路层；

在所述氮化铝陶瓷基板表面焊接倒装LED芯片；所述正电极和所述负电极均通过所述导电线路层与所述倒装LED芯片电连接；