[发明专利]一种OLED器件封装结构及其制备方法在审
申请号: | 202010190979.9 | 申请日: | 2020-03-18 |
公开(公告)号: | CN111341940A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 汤明;魏斌;严利民;朱才华;茆子杨;项一 | 申请(专利权)人: | 上海晶合光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 刘凤玲 |
地址: | 200444 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED器件封装结构,其特征在于,包括:OLED器件、薄膜封装层、散热层、隔热阻水氧层以及金属箔;所述薄膜封装层包括从内向外依次包覆在OLED器件上的有机物层、金属氧化物层和金属层;所述散热层的下表面包覆在所述薄膜封装层的金属层上;所述隔热阻水氧层的下表面包覆在所述散热层的上表面;所述金属箔位于所述隔热阻水氧层上方;所述散热层的材料为石墨片。
2.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述散热层的厚度范围为10nm-100um。
3.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述隔热阻水氧层包括胶水以及大同贴片;所述散热层的上表面从内向外依次包覆所述胶水以及所述大同贴片;所述隔热阻水氧层厚度范围为100nm-100um。
4.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述金属箔采用铝、铜、金、银或镁;所述金属箔的厚度范围为50nm-100um。
5.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述OLED器件封装结构边缘采用胶水封装,用于防止水或氧进入所述OLED器件。
6.一种OLED器件封装结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
准备OLED器件;
在所述OLED器件上表面蒸镀薄膜封装层;所述薄膜封装层包括从内向外依次包覆在所述OLED器件上的有机物层、金属氧化物层和金属层;
将下表面带有胶水的石墨片粘接在所述薄膜封装层的金属层,形成散热层;所述散热层的下表面包覆在所述薄膜封装层的金属层;
在所述散热层的上表面包覆所述隔热阻水氧层;
采用本身带有胶水的金属箔粘接到所述隔热阻水氧层的上表面,形成所述OLED器件封装结构。
7.根据权利要求6所述的装制备方法,其特征在于,所述在所述散热层的上表面包覆所述隔热阻水氧层,具体包括:
将胶水喷涂在所述石墨片的上表面并用紫外灯烤预设时间,然后将大同贴片贴合在所述胶水上,形成所述隔热阻水氧层;所述隔热阻水氧层的厚度范围为100nm-100um。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述采用本身带有胶水的金属箔粘接到所述隔热阻水氧层的上表面,形成所述OLED器件封装结构之后,还包括:
采用胶水对所述OLED器件封装结构边缘进行封装,防止水或氧从侧面进入所述OLED器件。
9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述散热层的厚度范围为10nm-100um;所述金属箔采用铝、铜、金、银或镁;所述金属箔的厚度范围为50nm-100um。
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