[发明专利]一种C-SiC溅射靶材的焊接方法

权利要求书

1.一种C-SiC溅射靶材的焊接方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)对C-SiC靶材和背板进行遮蔽处理，然后在遮蔽后C-SiC靶材和背板的焊接表面放置焊料并升温，升温完成后对C-SiC靶材 和背板的焊接面进行浸润处理，得到处理后C-SiC靶材和背板；

(2)在步骤(1)得到的处理后背板上设置熔池同时放置焊料并等间距设置铜丝，得到处理背板；所述熔池的面积和背板的面积相同；所述熔池的高度为3-5mm；所述熔池中焊料的添加量为高出背板焊接面2-3mm；所述铜丝的直径为0.2-0.5mm；所述铜丝的设置数量至少为3个；

(3)将步骤(1)得到的处理后C-SiC靶材和步骤(2)得到的处理背板进行扣合组装并焊接。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述遮蔽处理为采用耐热胶带将非焊接面进行遮蔽。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述焊料的添加量为0.5-1kg。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述焊料为铟焊料。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述升温的终点温度为200-240℃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述浸润处理采用超声波钎焊机进行。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述超声波钎焊机的功率为1000-1400W。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述浸润处理的时间为20-40min。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述浸润处理后去除焊料表层的氧化焊料。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述熔池中的焊料为铟焊料。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述焊接为在200-240℃下进行焊接。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述焊接的时间为10-120s。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括焊接完成后靶材随炉冷却至100-130℃后将完整的靶材放置于表面水平的平台上，其中C-SiC靶材溅射表面和平台表面接触，使用C型夹具将背板两端与平台紧固，之后冷却至室温。

14.如权利要求1-13任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)对C-SiC靶材和背板进行遮蔽处理，然后在遮蔽后C-SiC靶材和背板的焊接表面放置焊料并升温，升温完成后对C-SiC和背板的焊接面进行浸润处理，得到处理后C-SiC靶材和背板；所述遮蔽处理为采用耐热胶带将非焊接面进行遮蔽；所述焊料的添加量为0.5-1kg；所述焊料为铟焊料；所述升温的终点温度为200-240℃；所述浸润处理采用超声波钎焊机进行；所述超声波钎焊机的功率为1000-1400W；所述浸润处理的时间为20-40min；所述浸润处理后去除焊料表层的氧化焊料；

(2)在步骤(1)得到的处理后背板上设置熔池同时放置焊料并等间距设置铜丝，得到处理背板；所述熔池的面积和背板的面积相同；所述熔池的高度为3-5mm；所述熔池中焊料的添加量为高出背板焊接面2-3mm；所述熔池中的焊料为铟焊料；所述铜丝的直径为0.2-0.5mm；所述铜丝的设置数量至少为3个；

(3)将步骤(1)得到的处理后C-SiC靶材和步骤(2)得到的处理背板进行扣合组装并焊接；所述焊接为在200-240℃下进行焊接；所述焊接的时间为10-120s；

其中，焊接完成后靶材随炉冷却至100-130℃后将完整的靶材放置于表面水平的平台上，其中C-SiC靶材溅射表面和平台表面接触，使用C型夹具将背板两端与平台紧固，之后冷却至室温。