[发明专利]一种C-SiC溅射靶材的焊接方法

说明书

本发明涉及一种C‑SiC溅射靶材的焊接方法，所述方法包括如下步骤：(1)对C‑SiC靶材和背板进行遮蔽处理，然后在遮蔽后C‑SiC靶材和背板的焊接表面放置焊料并升温，升温完成后对C‑SiC和背板的焊接面进行浸润处理，得到处理后C‑SiC靶材和背板；(2)在步骤(1)得到的处理后背板上设置熔池同时放置焊料并等间距设置铜丝，得到处理背板；(3)将步骤(1)得到的处理后C‑SiC靶材和步骤(2)得到的处理背板进行扣合组装并焊接。本发明中，消除焊接面上对焊接结果有极大影响的铟渣，保证靶材与背板之间的焊料纯正、无污染。通过以上方式处理，可保证C‑SiC靶材其C‑Scan超声波检测一次焊接结合率平均可达98％以上，并且极大节约产品加工工时，节约大量成本。

技术领域

本发明涉及靶材焊接领域，具体涉及一种C-SiC溅射靶材的焊接方法。

背景技术

C-SiC为粉末冶金产品，密度低，易脆，产品从高温到低温急速冷却下容易碎裂。C-SiC靶焊接背板材料主要为无氧铜材质，具有较高的硬度和强度。虽然现阶段公开了很多靶材的焊接方法如CN109807453A公开了一种高纯铜旋转靶的端头焊接方法，本发明的端头焊接方法分三步对端头焊接口或尾盖焊接口进行焊接，第一步为点焊接，第二步为弧段焊接，第三步为圆周焊接。本发明方法能防止高纯铜旋转靶材变形，铜合金端头与高纯旋转靶材的同轴度高，有效降低内应力的产生，铜合金端头与高纯旋转靶材的接口焊接效果好，焊接接口气密性好。CN108544045A公开了一种钨靶材焊接方法及钨靶材组件，涉及半导体制造技术领域。所述钨靶材焊接方法首先对钨靶材和铜背板进行焊接前加工及清洗，在所述钨靶材和所述铜背板中间放置焊料引流件，再利用钎焊工艺对所述钨靶材和所述铜背板进行钎焊接后获得钨靶材组件，对所述钨靶材组件进行冷却。所述钨靶材焊接方法在焊接前在所述钨靶材和所述铜背板间放置焊料引流件，保证了焊料的在所述钨靶材和所述铜背板间的均匀分布，提高了焊缝均匀性、焊接成功率以及焊接稳定性。

但C-SiC靶表面难浸润处理，一般浸润处理方式会与背板焊接接触面存在大面积浸润不良区域，严重时会导致靶材与背板脱焊。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种C-SiC溅射靶材的焊接方法，保证靶材与背板之间的焊料纯正、无污染。通过以上方式处理，可保证C-SiC靶材其C-Scan超声波检测一次焊接结合率平均可达98％以上，并且极大节约产品加工工时，节约大量成本。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种C-SiC溅射靶材的焊接方法，所述方法包括如下步骤：

(1)对C-SiC靶材和背板进行遮蔽处理，然后在遮蔽后C-SiC靶材和背板的焊接表面放置焊料并升温，升温完成后对C-SiC和背板的焊接面进行浸润处理，得到处理后C-SiC靶材和背板；

(2)在步骤(1)得到的处理后背板上设置熔池同时放置焊料并等间距设置铜丝，得到处理背板；

(3)将步骤(1)得到的处理后C-SiC靶材和步骤(2)得到的处理背板进行扣合组装并焊接。

本发明中，通过对靶材的浸润处理并去除表面产生的氧化铟等杂质焊料，尤其在后续C-SiC靶材与背板扣合组装扣合前更加关注背板及靶材上焊接面上氧化杂质的去除，消除焊接面上对焊接结果有极大影响的铟渣，保证靶材与背板之间的焊料纯正、无污染。通过以上方式处理，可保证C-SiC靶材其C-Scan超声波检测一次焊接结合率平均可达98％以上，并且极大节约产品加工工时，节约大量成本。

作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述遮蔽处理为采用耐热胶带将非焊接面进行遮蔽。

作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述焊料的添加量为0.5-1kg，例如可以是0.5kg、0.6kg、0.7kg、0.8kg、0.9kg或1kg等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。