[发明专利]防断箔装置、9μm～20μm铜箔后处理防断箔方法、后处理机

权利要求书

1.一种9μm～20μm铜箔后处理防断箔方法，其特征在于，在电解铜箔后处理机上安装有防断箔处理装置；

其中，所述防断箔处理装置包括：测厚仪组件、转动角传感器、控制系统；所述测厚仪组件至少包括4个测厚仪，其中在铜箔的左侧至少设置2个测厚仪，在铜箔的右侧至少设置2个测厚仪；所述的至少4个测厚仪设置在同一断面上；分布在铜箔一侧的两个测厚仪用于测量边部以及邻近边部区域的铜箔厚度；所述测厚仪组件、转动角传感器均与所述控制系统连接；所述控制系统与后处理驱动电机组件；测厚仪组件设置在放卷辊与第一个处理槽之间；转动角传感器，其用于实时测量后处理机任意一铜箔导辊的转角；

所述控制系统包括：存储模块、计算模块、比较模块、执行模块；

其中，所述测厚仪组件、转动角传感器测量的数据存储在存储模块中；

其中，存储模块与计算模块双向连接，即计算模块读取存储模块中的数据，且将计算取得的数据当前时刻下的铜箔目标速度V_t写入存储模块中；

其中，比较模块，用于比较当前时刻下的铜箔目标速度V_t与前一时刻下的铜箔目标速度V_t-1；

其中，执行模块，用于控制后处理驱动电机组件的运转速度；

所述防断箔方法包括以下步骤：

S1，任意时刻t，测厚仪组件的数据、以及转动角传感器测量值δ_t存储到控制系统中的存储模块中；

在存储模块中形成数据序列：t、V_适应t、δ_t、V_t；在存储模块中，预先存储：0、V₀、0、V₀；

S2,计算模块计算V_适应t，V_适应t表示当前断面铜箔适应速度，且将该数据存入存储模块中：

S2-1,计算左边部面密度最大差值，右边部面密度最大差值：

左边部面密度最大差值＝(铜箔左侧布置的测厚仪测得的最大值-铜箔左侧布置的测厚仪测得的最小值)×ρ；

右边部面密度最大差值＝(铜箔右侧布置的测厚仪的最大值-铜箔右侧布置的测厚仪测得的最小值)×ρ；

其中，ρ表示铜箔的密度；

S2-2,计算V_左适应t：

当：1g/㎡≥左边部面密度最大差值时，V_左适应t＝V₀；

当：1.5g/㎡≥左边部面密度最大差值＞1g/㎡时，V_左适应t＝V₁；

当2g/㎡≥左边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，V_左适应t＝V₂；

当左边部面密度最大差值＞2g/㎡时，V_左适应t＝V₃；

S2-3,计算V_右适应t：

当：1g/㎡≥右边部面密度最大差值时，V_右适应t＝V₀；

当：1.5g/㎡≥右边部面密度最大差值＞1g/㎡时，V_右适应t＝V₁；

当2g/㎡≥右边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，V_右适应t＝V₂；

当右边部面密度最大差值＞2g/㎡时，V_右适应t＝V₃

S2-4,V_适应t＝min(V_左适应t，V_右适应t)；

S2-5,V_适应t存入存储模块中；

S3，计算模块读取存储模块中的数据，计算t时刻下的铜箔目标运行速度V_t：

S3-1,确定时间：t-x；

当δ_t≤L_安全/R,t-x＝0；

当δ_tL_安全/R,在δ序列中寻找δ_t-x，δ_t-x为t-x时刻下的角度:读取存储模块中的数据，将δ_t数据序列按照：δ_t-1、δ_t-2、δ_t-3…… 的顺序循环计算，直至满足下式：

(δ_t—δ_t-x)≥L_安全/R；

即从t-x时刻至t时刻，铜箔行进了至少L_安全；其中，R表示转动角监测的导辊的半径；

通过数据序列“t、V_适应t、δ_t”，进而确定t-x；

S3-2,从t-x时刻到t时刻之间的V_适应t-x……V_适应t寻找到最小值，V_t＝前述的最小值，且将V_t存入存储模块中；

S4,比较模块从存储模块中读取V_t与V_t-1，通过比较判断V_t与V_t-1，判断是否需要发送信号调节铜箔运行速度：

当V_t＝V_t-1，执行模块不发出信号；

当V_t≠V_t-1，执行模块向后处理驱动电机组件发出信号，调整铜箔的线速度为V_t；

其中，V₁＝0.8V₀-0.9V₀，V₂＝0.65V₀-0.75V₀，V₃＝0.5V₀-0.6V₀；

L_安全不小于铜箔自测厚仪到最后一个处理槽后面的第一个导辊的铜箔长度，即检测到铜箔出现厚度不均匀问题时，在此区域内实行降速处理。