[发明专利]防断箔装置、9μm～20μm铜箔后处理防断箔方法、后处理机

说明书

本发明公开了一种防断箔装置、9μm～20μm铜箔后处理防断箔方法、后处理机；属于新能源汽车动力电池电解铜箔技术领域；其技术要点包括：所述测厚仪组件至少包括4个测厚仪，其中在铜箔的左侧至少设置2个测厚仪，在铜箔的右侧至少设置2个测厚仪；分布在铜箔一侧的两个测厚仪用于测量边部以及邻近边部区域的铜箔厚度；所述测厚仪组件、转动角传感器均与所述控制系统连接；所述控制系统与后处理驱动电机组件；测厚仪组件设置在放卷辊与第一个处理槽之间。采用本申请的一种防断箔装置、9μm～20μm铜箔后处理防断箔方法、后处理机，能够在保证9μm～20μm铜箔后处理安全的前提下，最大限度的提高生产效率。

技术领域

本发明涉及新能源汽车动力电池用电解铜箔领域，更具体地说，尤其涉及一种防断箔装置、9μm～20μm铜箔后处理防断箔方法、后处理机。

背景技术

申请人在先申请“2020101128474一种防断箔的后处理单体机、生产工艺、控制方法、控制系统”，给出了一种后处理机的防断箔装置的控制方法，该方法存在一个特点，如图1所示：在一定区域内存在有7个异常断面(断面之间的间距均小于L)，在第3个断面后，铜箔的运行速度降低到V₃，不论后面4个异常断面的V_适应是多少，铜箔一直按照V₃的速度前进，即具有“记忆效应”。

从上述可以知晓：在先申请“一种防断箔的后处理单体机、生产工艺、控制方法、控制系统”提出的方案偏向于保守，一种观点认为：虽然第4-7个异常断面，在运行速度V₁、V₂也可以，但是，其在处理槽中，运行速度从V₃加速到V₁、V₂，会存在短暂的加速过程，其并不利于铜箔的安全。

另一种观点认为：上述会降低后处理机的速度，短暂的加速并不会对异常断面造成断箔。

经验试验，实施例1的方案适用于9μm以下的铜箔，特别的，对于6μm以下的铜箔在处理时，采用实施例1的方案较为安全。

而对于9微米以上的铜箔，上述短暂的加速并不会造成断箔。

然而，如何对于9微米至20微米以上的锂电铜箔，如何兼顾生产效率与安全(即防止断箔)，是一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种防断箔装置。

本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种9μm～20μm铜箔后处理防断箔方法。

本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种后处理机。

一种电解铜箔后处理机(单体机)防断箔处理装置，设置在电解铜箔后处理机上，所述防断箔处理装置包括：测厚仪组件、转动角传感器、控制系统；

所述测厚仪组件至少包括4个测厚仪，其中在铜箔的左侧至少设置2个测厚仪，在铜箔的右侧至少设置2个测厚仪；

所述的至少4个测厚仪设置在同一断面上；

分布在铜箔一侧的两个测厚仪用于测量边部以及邻近边部区域的铜箔厚度；

所述测厚仪组件、转动角传感器均与所述控制系统连接；

所述控制系统与后处理驱动电机组件；

测厚仪组件设置在放卷辊与第一个处理槽之间。

还包括：在后处理机的任一导辊上设置转动角传感器，其用于实时测量导辊的转角。

进一步，所述控制系统包括：存储模块、计算模块、比较模块、执行模块；

其中，所述测厚仪组件、转动角传感器测量的数据存储在存储模块中；