[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置

说明书

本申请提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置，其中，阵列基板包括：显示区域以及围绕于显示区域的非显示区域；非显示区域设置有多条数据走线和多条扫描走线，多条扫描走线与多条数据走线相互绝缘，且具有至少一个交叠区域；其中，与扫描走线交叠设置的数据走线包括第一线段和第二线段，第二线段位于数据走线与扫描走线的交叠区域，第二线段的一端通过第一跳线结构与显示区域的数据线电性连接，第二线段的另一端通过第二跳线结构与第一线段的其中一端电性连接，第一线段的另一端与数据驱动电路连接。在本申请提供的阵列基板及其制造方法和显示装置中，通过在数据走线与扫描走线的交叠区域采用转接孔跳线设计，实现ESD的有效防护。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和显示装置。

背景技术

低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，简称LTPS)显示装置具有高分辨率、高迁移率、低功耗等诸多优点，已成为了目前平板显示产品中的明星产品，被广泛应用在例如苹果、三星、华为、小米、魅族等各大手机及平板电脑上。

目前，LTPS阵列基板的工艺设计比较复杂，通常需要在衬底上制备8层以上的功能膜层。在制造过程中发现，上下层金属交叠区域非常容易发生静电放电问题(Electro-Static discharge，简称ESD)，已经严重影响产品良率。

为此，在现有的LTPS阵列基板的工艺设计中，一般在驱动电路与测试焊盘(testpad)之间连接一个大电阻，进行ESD防护。然而，这种大电阻ESD设计，只有一道ESD防护设计，防护能力不足。当基板上累积的静电过高时，大电阻会被ESD炸伤，导致产品异常。而且，由于测试焊盘(test pad)及其连接点制作完成之时，显示区域(AA区)的部分金属层也已制作完成，Array制程中发生的ESD可直接通往AA区，造成AA区被ESD炸伤。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置，以解决现有的低温多晶硅阵列基板的制程中由于ESD问题高发而导致产品良率下降的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供的一种阵列基板，所述阵列基板包括：显示区域以及围绕于所述显示区域的非显示区域；

所述显示区域设置有多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线与所述多条数据线交叉排列且相互绝缘；

所述非显示区域设置有多条数据走线和多条扫描走线，所述多条扫描走线与所述多条数据走线相互绝缘，且具有至少一个交叠区域；

其中，与扫描走线交叠设置的数据走线包括第一线段和第二线段，所述第二线段位于数据走线与扫描走线的交叠区域，所述第二线段的一端通过第一跳线结构与所述显示区域的数据线电性连接，所述第二线段的另一端通过第二跳线结构与所述第一线段的其中一端电性连接。

可选的，在所述的阵列基板中，所述多条数据走线与所述多条数据线一一对应并电性连接，所述多条扫描走线与所述多条扫描线一一对应并电性连接。

可选的，在所述的阵列基板中，所述扫描走线与所述扫描线同层设置，所述第一跳线结构、第二跳线结构与所述数据线同层设置。

可选的，在所述的阵列基板中，还包括：扫描驱动电路，所述扫描驱动电路与所述多条扫描走线连接，用于提供扫描驱动信号。

可选的，在所述的阵列基板中，所述阵列基板为低温多晶硅阵列基板。

本发明还提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板的制造方法包括：

提供一衬底，并在所述衬底上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第一金属层，并图形化所述第一金属层以分别形成扫描线和扫描走线；

在所述扫描线和扫描走线上形成第二绝缘层；