[发明专利]R-T-B系永久磁铁在审
| 申请号： | 202010194793.0 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111724959A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 藤原真理子;岩崎信 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 永久磁铁 | ||
1.一种R-T-B系永久磁铁，其特征在于，
所述R-T-B系永久磁铁含有Ga，
R为一种以上的稀土元素，T为Fe或Fe及Co，B为硼，
含有由具有R2T14B型晶体结构的结晶颗粒构成的主相颗粒和由相邻的两个以上的所述主相颗粒形成的晶界，
将所述主相颗粒中的Ga的原子数浓度设为[Ga]，将R的原子数浓度设为[R]，
满足0.030≤[Ga]/[R]≤0.100。
2.根据权利要求1所述的R-T-B系永久磁铁，其特征在于，
所述晶界包含R6T13Ga相。
3.根据权利要求1或2所述的R-T-B系永久磁铁，其特征在于，
所述主相颗粒的平均粒径为1μm以上且30μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的R-T-B系永久磁铁，其特征在于，
基于个数的70％以上的主相颗粒满足0.030≤[Ga]/[R]≤0.100。
5.根据权利要求1或2所述的R-T-B系永久磁铁，其特征在于，
所述主相颗粒内的Ga的浓度为0.5原子％以上。
6.根据权利要求1或2所述的R-T-B系永久磁铁，其特征在于，
在所述主相颗粒的内部，Ga的浓度相对高的部分处于主相颗粒的大致中央部，Ga的浓度相对低的部分处于主相颗粒的外缘部。
7.根据权利要求1或2所述的R-T-B系永久磁铁，其特征在于，
在所述主相颗粒的内部，B的浓度相对低的部分处于主相颗粒的大致中央部，B的浓度相对高的部分处于主相颗粒的外缘部。
8.根据权利要求1或2所述的R-T-B系永久磁铁，其特征在于，
在所述主相颗粒的内部，C的浓度相对高的部分处于主相颗粒的大致中央部，C的浓度相对低的部分处于主相颗粒的外缘部。
9.根据权利要求1或2所述的R-T-B系永久磁铁，其特征在于，
所述晶界包含富R相。
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