[发明专利]R-T-B系永久磁铁

说明书

本发明提供一种维持剩余磁通密度Br并同时提高室温下的矫顽力HcJ的R‑T‑B系永久磁铁。本发明的R‑T‑B系永久磁铁含有Ga，其中，R为一种以上的稀土元素，T为Fe或Fe及Co，B为硼。本发明的R‑T‑B系永久磁铁含有由具有R₂T₁₄B型晶体结构的结晶颗粒构成的主相颗粒和由相邻的两个以上的主相颗粒形成的晶界。将主相颗粒中的Ga的原子数浓度设为[Ga]，将R的原子数浓度设为[R]，满足0.030≤[Ga]/[R]≤0.100。

技术领域

本发明涉及一种R-T-B系永久磁铁。

背景技术

专利文献1中记载了一种稀土类磁铁，该稀土类磁铁以具有R₂T₁₄B型晶体结构的结晶颗粒作为主相，其中，具有从主相颗粒的端部朝向主相颗粒的内部增加的Ga的浓度梯度。特别地，记载了抑制高温退磁及提高室温下的矫顽力的稀土类磁铁。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2016/153057号

发明内容

发明想要解决的技术问题

目前，寻求进一步提高了室温下的矫顽力的R-T-B系永久磁铁。

本发明的目的在于，提供一种维持剩余磁通密度Br并同时提高室温下的矫顽力HcJ的R-T-B系永久磁铁。

用于解决技术问题的手段

为了实现上述目的，本发明的R-T-B系永久磁铁其特征在于，该R-T-B系永久磁铁含有Ga，其中R为一种以上的稀土元素，T为Fe或Fe及Co，B为硼，

含有由具有R₂T₁₄B型晶体结构的结晶颗粒构成的主相颗粒、和由相邻的两个以上的所述主相颗粒形成的晶界，

将所述主相颗粒中的Ga的原子数浓度设为[Ga]，将R的原子数浓度设为[R]，

满足0.030≤[Ga]/[R]≤0.100。

本发明的R-T-B系永久磁铁通过具有上述特征，特别是能够不降低Br而提高室温下的HcJ。

所述晶界也可以包含R₆T₁₃Ga相。

附图说明

图1是表示大致中央部的决定方法的示意图。

符号说明

1 主相颗粒

11 长径

11A (主相颗粒的)中心

具体实施方式

以下，基于实施方式对本发明进行说明。

＜R-T-B系永久磁铁＞

对本实施方式的R-T-B系永久磁铁进行说明。本实施方式的R-T-B系永久磁铁具有由具有R₂T₁₄B型晶体结构的结晶颗粒构成的主相颗粒、和由相邻的两个以上的上述主相颗粒形成的晶界。

主相颗粒的平均粒径通常为1μm～30μm左右。

本实施方式的R-T-B系永久磁铁也可以是使用R-T-B系合金形成的烧结体。