[发明专利]一种像素电路及其驱动方法、显示面板有效
申请号: | 202010194824.2 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111261104B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 陈勇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 电路 及其 驱动 方法 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括屏下摄像头区以及围绕所述屏下摄像头区设置的显示区,还包括像素电路,所述像素电路设置于所述屏下摄像头区内;所述像素电路包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一存储电容、第二存储电容以及有机发光二极管;
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接扫描信号,第一薄膜晶体管的源极电性连接数据信号,其漏极与第二薄膜晶体管的栅极、第一存储电容的第一端、第二存储电容的第一端电性连接;
所述第二薄膜晶体管的源极电性连接电源正电压,漏极电性连接有机发光二极管的阳极;
有机发光二极管的阴极电性连接电源负电压;
第一存储电容的第一端电性连接第一薄膜晶体管的漏极,第二端电性连接第二薄膜晶体管的源极;
第二存储电容的第一端电性连接第一薄膜晶体管的漏极,第二端电性连接控制信号;
所述第二存储电容的电容值为所述第一存储电容的电容值的1/7。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管中的任一种。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述控制信号由外部时序控制器提供。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一薄膜晶体管为所述有机发光二极管提供恒定的驱动电流。
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